GaN FET支持MHz級開關頻率，顯著高于傳統硅基器件，通過減小無源元件體積實現系統小型化，使開關損耗降低20%-30%。深圳銀聯寶快充電源icU8609合封第三代半導體GaN FET，最高工作頻率130kHz，采用原邊反饋控制，可節省光耦和TL431，簡化電源BOM，有利于降低電源尺寸！
快充電源icU8609是一款集成E-GaN的恒壓恒流PSR反激功率開關管，可為18~65W適配器應用提供全新的解決方案。U8609集成谷底鎖定技術可以防止頻率抖動產生噪音。它采用CS Jitter技術，通過調制峰值電流參考值實現頻率抖動，以優化系統EMI。
在手機充電器的應用中，電池與充電器之間一般會通過一定長度的電纜相連，由此也將導致輸送到電池端的電壓產生一定的電壓降。快充電源ic U8609內置線損補償功能，根據負載的變化調整線損補償量，從而使得線纜輸出端獲得平直的恒壓輸出曲線。線損補償的最大值為輸出電壓的3%。
快充電源icU8609集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統效率，芯片內置了高精度、高可靠性的驅動電路，驅動電壓為VDRV(典型值 6.35V)。EMI性能為高頻交直流轉換器的設計難點，為此U8609通過DEM管腳集成了驅動電流分檔配置功能。通過配置DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅動電流，進而調節GaNFET的開通速度，系統設計者可以獲得最優的EMI性能和系統效率的平衡。具體分壓電阻值可參照參數表。
快充電源icU8609內置高壓啟動電路，省去外部啟動電阻，合封GaN功率器件減少驅動電路復雜度，集成谷底鎖定QR模式降低開關損耗，可實現全負載功率范圍內的效率優化，既降低成本又提高可靠性！