芯片內置Boost電路將功率開關器件（如MOSFET）、驅動電路、反饋網絡等集成于單一封裝，省去分立元件布局，顯著降低PCB面積需求。深圳銀聯寶氮化鎵快充芯片U8723AH內置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓的應用場景。U8723AH集成峰值電流抖動功能和驅動電流配置功能，可極大的優化系統EMI性能！
氮化鎵快充芯片U8723AH特性：
●集成 高壓 E-GaN
●集成高壓啟動功能
●超低啟動和工作電流，待機功耗 <30mW
●谷底鎖定模式， 最高工作頻率兩檔可調(220kHz，130kHz)
●集成 EMI 優化技術
●驅動電流分檔配置
●集成 Boost 供電電路
●集成完備的保護功能：
VDD 過壓/欠壓保護 (VDD OVP/UVLO)
輸出過壓保護 (OVP)
輸出欠壓保護 (DEM UVP)
輸入過壓保護 (LOVP)
輸入欠壓保護 (BOP)
片內過熱保護 (OTP)
逐周期電流限制 (OCP)
異常過流保護 (AOCP)
短路保護 (SCP)
過載保護 (OLP)
前沿消隱 (LEB)
CS 管腳開路保護
●封裝類型 HSOP7-T3
氮化鎵快充芯片U8723AH采用峰值電流抖動的方式實現進一步的EMI性能優化，峰值電流抖動幅值最大為±8%。芯片根據輸入電壓的變化調節抖動幅值，實現EMI優化的基礎上進一步優化輸出紋波。內部集成有軟啟動功能，在軟啟動時間TST (典型值 5ms)內，電流峰值從最小值逐步增加，避免變壓器磁芯飽和，系統每次重啟都會伴隨一次軟啟動過程。
氮化鎵快充芯片U8723AH是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉換功率開關，可提升快充效率，內置Boost 供電電路可在緊湊空間內實現高效、穩定的升壓功能，廣泛應用于快速充電器和適配器等消費電子場景，內置多種保護機制，可靠且高效！