提升芯片的工作頻率，無疑能夠加快設備的處理速度，提升用戶體驗，但高頻率意味著更高的功耗和更大的發熱量，還可能會對設備的穩定性和壽命造成不良影響。因此，在設計芯片時，需要在提升工作頻率與降低功耗和發熱量之間找到一個平衡點。深圳銀聯寶科技的25W氮化鎵快充芯片U8723AH，推薦的RSEL電阻值在1kΩ，最高頻率限制220kHz；在2kΩ時，最高頻率限制130kHz，一起詳細了解下。

氮化鎵快充芯片U8723AH復用CS管腳以設定系統最高工作頻率，CS管腳連接詳見規格書。芯片啟動時，通過檢測RSEL電阻從而決定芯片最大工作頻率。設定不同的RSEL電阻值即可選擇兩檔不同的系統工作頻率上限。選檔判定結束后系統鎖定，每一次啟動都伴隨一次判定。U8723AH采用HSOP7-T3封裝，腳位名稱如下：

1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳。

2 FB I 系統反饋輸入管腳。

3 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測、驅動能力分檔判定管腳。

4 SW P Boost 電路內置 MOS 的漏極管腳。

5 GND P 芯片參考地。

6 VDD P 芯片供電管腳。

7 DRAIN P 內置高壓 GaN FET 漏極、高壓啟動供電管腳。

針對寬輸出電壓應用場合，為了滿足VDD的寬電壓應用需求，往往需要添加額外的電路或者輔助繞組，導致系統功耗和電路成本的增加。氮化鎵快充芯片U8723AH集成了Boost供電技術，僅在SW管腳添加一顆貼片電感即可，在輸出電壓較低時，Boost電路啟動工作，維持VDD電壓在VBOOST_REG (典型值10V/10.2V)，當輸出電壓升高，輔助繞組電壓高于VBOOST_REG時，Boost電路停止工作，VDD由輔助繞組供電。

在輕載和空載狀態下，當FB管腳電壓低于VSKIP_IN(典型值0.4V)時，系統進入打嗝模式工作,，停止開關動作。當FB電壓超過VSKIP_OUT(典型值0.5V/0.7V)時，氮化鎵快充芯片U8723AH重新開始開關動作。打嗝模式降低了輕載和待機狀態下的系統功耗。芯片采用了打嗝噪音優化技術，可自適應的調節打嗝VSKIP_OUT的閾值，實現噪音和紋波的最優化。

芯片工作頻率作為衡量芯片性能的重要指標之一，在電子設備中發揮著至關重要的作用。然而，在追求高性能的同時，我們也需要關注其帶來的能耗和散熱問題，銀聯寶25W氮化鎵快充芯片U8723AH，有利于平衡各方面的需求，是一個高效且合理的電源解決方案！

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