開關(guān)電源芯片U6113典型值為140uA超低的工作電流，降低了對于VDD電容大小的要求，同時也可以幫助系統(tǒng)獲得更高的效率。為了保證系統(tǒng)工作在準(zhǔn)諧振模式下，U6113利用檢測流經(jīng)內(nèi)部高壓MOSFET漏極和門極間寄生的米勒電容Crss的電流實(shí)現(xiàn)電流過零點(diǎn)的檢測。當(dāng)電感電流續(xù)流到零后，電感和高壓MOSFET的輸出電容開始諧振過程。此過程中MOSFET的Drain端電壓開始下降，同時會有一由地到MOSFET Drain端的負(fù)向電流流經(jīng)Crss電容。反之，當(dāng)MOFET關(guān)斷Drain端電壓上升時，會有一正向電流流經(jīng)Crss 電容。
U6113在同一晶元上集成了高壓功率MOSFET和控制器，是一款內(nèi)部高度集成的降壓型準(zhǔn)諧振式（QR-Buck）LED照明恒流驅(qū)動功率開關(guān)電源芯片。此外，芯片還集成有高壓啟動電路和無需輔助繞組的電感電流過零檢測電路，利用此功能，系統(tǒng)工作在準(zhǔn)諧振模式下并且最大程度地簡化了系統(tǒng)的設(shè)計(jì)。U6113 集成有完備的保護(hù)功能以保障系統(tǒng)安全可靠的運(yùn)行，如VDD欠壓保護(hù)功能、逐周期電流限制、過熱保護(hù)、LED開路和短路保護(hù)等。
當(dāng)LED開路故障發(fā)生時，系統(tǒng)的開關(guān)頻率開始增加而電感電流續(xù)流到零時間開始縮短。當(dāng)電感電流續(xù)流到零的時間小于5.5us時，MOSFET停止導(dǎo)通，同時芯片進(jìn)入到自動重啟和VDD振蕩模式。在VDD振蕩模式里，VDD管腳電壓在5.3V和5.8V之間震蕩。當(dāng)VDD振蕩模式持續(xù)4個周期后，開關(guān)電源芯片U6113會復(fù)位內(nèi)部邏輯并重新開始工作，如果故障仍然存在，則再重復(fù)以上過程，否則系統(tǒng)進(jìn)入到正常工作模式下。
開關(guān)電源芯片U6113引腳名稱：
1 Drain 內(nèi)部功率 MOSFET 漏極。
2 CS 芯片地，也用作電感峰值電流控制腳。
3 VDD 芯片電源供電。
CS 管腳作為開關(guān)電源芯片U6113的參考地，同時也用來檢測電感電流峰值。當(dāng)MOSFET導(dǎo)通時，VDD管腳和CS管腳之間的差分電壓開始下降，當(dāng)此差分電壓大于峰值電流基準(zhǔn)500mV時MOSFET關(guān)斷。為了避免MOSFET導(dǎo)通瞬間的噪聲引起錯誤檢測，芯片設(shè)計(jì)有典型值為500ns的前沿消隱時間，在此時間內(nèi)逐周期電流限制比較器停止工作且MOSFET不允許關(guān)斷。