帶恒功率、底部無PAD的氮化鎵芯片U872XAHS系列型號分別為U8722AHS、U8723AHS、U8724AHS。耐壓700V，內阻1.0--1.2R。封裝類型ASOP-7-T4，具體腳位如下：
1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳
2 FB I 系統反饋輸入管腳
3 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測、驅動能力分檔判定管腳
4 VDD P 芯片供電管腳
5 SW P Boost 電路內置 MOS 的漏極管腳
6 GND P 芯片參考地
7 DRAIN P 內置高壓 GaN FET 漏極、高壓啟動供電管腳
U872XAHS系列目前用量最大的是氮化鎵芯片U8723AHS，推薦功率30W (12V單高壓)，工作頻率最高可達220kHz，可全范圍工作在準諧振模式。芯片集成峰值電流抖動功能和驅動電流配置功能，可極大的優化系統EMI性能。芯片內置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓的應用場景。
氮化鎵芯片U872XAHS系列主要特性：
&集成 高壓 E-GaN
&集成高壓啟動功能
&超低啟動和工作電流，待機功耗 <30mW
&谷底鎖定模式， 最高工作頻率兩檔可調(220kHz，130kHz)
&集成 EMI 優化技術
&驅動電流分檔配置
&集成 Boost 供電電路
&集成完備的保護功能：
VDD 過壓/欠壓保護 (VDD OVP/UVLO)
輸出過壓/欠壓保護 (DEM OVP/UVP)
輸入過壓/欠壓保護 (LOVP /BOP)
片內過熱保護 (OTP)
逐周期電流限制 (OCP)
異常過流保護 (AOCP)
短路保護 (SCP)
過載保護 (OLP)
前沿消隱 (LEB)
CS 管腳開路保護
&封裝類型 ASOP7-T4
針對寬輸出電壓應用場合，為了滿足VDD的寬電壓應用需求，往往需要添加額外的電路或者輔助繞組，導致系統功耗和電路成本的增加。氮化鎵芯片U872XAHS系列集成了Boost供電技術，僅在SW管腳添加一顆貼片電感即可，在輸出電壓較低時，Boost電路啟動工作，維持VDD電壓在VBOOST_REG(典型值10.1V)，當輸出電壓升高，輔助繞組電壓高于VBOOST_REG時，Boost電路停止工作，VDD由輔助繞組供電。
如今消費者對充電器的便攜性要求越來越高，氮化鎵芯片可以讓充電器在體積縮小的情況下，依然能夠提供較高的充電功率。關注深圳銀聯寶科技氮化鎵芯片系列，順應各類消費需求！