高性能、副邊同步整流芯片U7610是一款用于替代 Flyback 副邊肖特基二極管的高性能同步整流開關，內置超低導通阻抗功率MOSFET以提升系統效率。U7610支持High Side和Low Side配置，也支持系統斷續工作模式(DCM)和準諧振工作模式(QR)。U7610 集成有VDD欠壓保護和VDD電壓鉗位功能。U7610 內置VDD 高壓供電模塊，無需VDD輔助繞組供電，降低了系統成本。對于Low Side 配置的12V系統，增加Vo LDO 供電方式以降低供電損耗。

■VDD HV 自供電模式

在High Side配置和Low Side配置下，將VDD引腳和Vo引腳短接，對地接VDD電容，同步整流芯片U7610處于VDD自供電模式。在原邊MOSFET導通期間，IC內部穩壓器將從其Drain管腳抽取電流向VDD供電，以使VDD電壓維持在恒定值 (典型值7.1V)。基于高頻解耦和供電考慮，VDD電容推薦選取容量為1μF的陶瓷電容。

■開通階段

變壓器副邊續流階段開始時，同步整流MOSFET處于關閉狀態，副邊電流經MOSFET體二極管實現續流，同時在體二極管兩端形成一負向Vds電壓(<-500mV)。該負向Vds電壓遠小于 U7610 內部MOSFET開啟檢測閾值 (典型值-300mV)，故經過開通延遲(典型值40ns)后內部 MOSFET開通。

■關斷階段

在同步整流MOSFET導通期間，同步整流芯片U7610采樣MOSFET漏-源兩端電壓 (Vds)。當Vds電壓高于MOSFET關斷閾值(典型值-7mV)，內部MOSFET將在關斷延遲(典型值60ns)后被關斷。

■Vo LDO 供電模式

在Low Side 配置下，將Vo引腳接輸出正極、VDD引腳對地接VDD電容，IC 處于Vo LDO供電模式，Vo通過LDO給VDD供電，有效降低了供電損耗。基于高頻解耦和供電考慮，VDD 電容推薦選取容量為1μF的陶瓷電容。

■系統啟動

當VDD電壓低于欠壓保護閾值后(2.8V 典型值)，同步整流芯片U7610進入睡眠模式，同時內部同步整流 MOSFET進入關斷狀態，副邊繞組電流經內部同步整流MOSFET的體二極管實現續流。當VDD 電壓高于VDD開啟電壓后(3.1V 典型值)，芯片開始工作。芯片內部同步整流MOSFET只在副邊續流期間才能開通。

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