隨著DoE六級能效及CoC V5 Tier 2的實施，同步整流取代肖特基已成為大勢所趨，銀聯寶科技同步整流芯片U7711采用通態電阻極低的專用功率MOSFET，來取代整流二極管以降低整流損耗的，從而提高轉換效率，可以提高整個AC-DC的整體效率，并且不存在由肖特基勢壘電壓而造成的死區電壓，降低電源本身發熱。
同步整流芯片U7711是一款用于替代Flyback副邊肖特基二極管的高性能同步整流開關，內置超低導通阻抗功率MOSFET以提升系統效率。U7711支持“浮地”和“共地”同步整流兩種架構，同時支持系統斷續工作模式 (DCM) 和準諧振工作模式 (QR)。內置VDD高壓供電模塊，無需VDD輔助繞組供電，降低了系統成本。U7711內部集成有VDD欠壓保護功能和VDD電壓鉗位。
在原邊MOSFET導通期間，同步整流芯片U7711內部7.1V穩壓器將從其Drain管腳抽取電流向VDD供電，以使VDD電壓恒定在7.1V 左右。基于高頻解耦和供電考慮，推薦選取容量為1uF的陶瓷電容作為VDD電容。初始階段同步整流MOSFET處于關閉狀態，副邊電流經MOSFET體二極管實現續流，同時在體二極管兩端形成一負向Vds電壓(<-500mV)。該負向Vds電壓遠小于U7711內部MOSFET開啟檢測閾值，故經過開通延遲（Td_on，約200ns）后內部MOSFET開通。
在同步整流 MOSFET 導通期間，同步整流芯片U7711采樣MOSFET漏-源兩端電壓(Vds)。當Vds電壓高于MOSFET關斷閾值，內部MOSFET將在關斷延遲（Td_off，約 60ns）后被關斷。在內部同步整流MOSFET開通瞬間，芯片漏-源(Drain-Source) 之間會產生電壓尖峰。為避免此類電壓尖峰干擾系統正常工作導致芯片誤動作，芯片內部集成有前沿消隱電路(LEB)。在 LEB時間（約1us）內，關斷比較器被屏蔽，無法關斷內部同步整流MOSFET，直至消隱時間結束。
同步整流技術就是大大減少了開關電源輸出端的整流損耗，從而提高轉換效率，降低電源本身發熱。想要了解同步整流芯片的相關資料，聯系銀聯寶科技400-778-5088。