智能快充技術的飛速發展和市場的爆火背后其實都少不了GaN的支撐，GaN等第三代功率半導體技術的日益成熟已逐漸成為行業內的技術發展重點。受其影響，目前市場上的智能快充大都在往小型化、大功率化發展，用戶的需求也正往多口化方向發展。深圳銀聯寶科技接連推出多款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式ACDC功率開關快充芯片，市場反饋頗佳！
快充芯片U8723AH是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉換功率開關。芯片集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實現小于30mW的超低待機功耗。U8723AH的工作頻率最高可達220kHz，可全范圍工作在準諧振模式。芯片集成峰值電流抖動功能和驅動電流配置功能，可極大的優化系統EMI性能。芯片內置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓的應用場景。
快充芯片U8723AH集成有完備的保護功能，包括：VDD欠壓保護(UVLO)、VDD過壓保護(VDD OVP)、輸入過壓保護(LOVP)、輸入欠壓保護(BOP)、輸出過壓保護(OVP)、輸出欠壓保護(DEM UVP)、逐周期電流限制(OCP)、異常過流保護(AOCP)、過載保護(OLP)、內置過熱保護(OTP)、前沿消隱(LEB)、CS管腳開路保護等。
快充芯片U8723AH系列還集成輕載SR應力優化功能，在驅動電流配置為第一、第二、第三檔位時，當芯片工作于輕載模式時，將原邊開通速度減半，減小空載時SR的Vds應力過沖。內部集成有軟啟動功能，在軟啟動時間TST(典型值5ms)內，電流峰值從最小值逐步增加，避免變壓器磁芯飽和，系統每次重啟都會伴隨一次軟啟動過程。
快充芯片U8723AH集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統效率，芯片內置了高精度、高可靠性的驅動電路，驅動電壓為VDRV(典型值 6.4V)。EMI性能為高頻交直流轉換器的設計難點，為此U8723AH通過DEM管腳集成了驅動電流分檔配置功能。通過配置DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅動電流，進而調節GaN FET的開通速度，系統設計者可以獲得最優的EMI性能和系統效率的平衡。具體分壓電阻值可參照參數表。
GaN給智能快充芯片領域帶來了不少新機會，同時也進入了多個新的應用場景。如何通過GaN更好地發展智能快充來提高充電效率，從而在這個賽道大放異彩，來深圳銀聯寶科技，攜手賽跑！