同步整流芯片JSTR9110采用多樣化VCC供電技術，在不需要輔助繞組供電的情況下，能保證AC-DC控制器在多種輸出電壓條件下，芯片VCC供電都會不出現欠壓。同步整流芯片JSTR9110當VCC降低到VUVLO2以下時，電路處于睡眠模式，MOSFET不會被打開。在系統上電后的一段時間，由于VCC電壓未達到VUVLO1，功率MOSFET不會被打開，完全由功率MOSFET的體二極管進行續流，直到VCC電壓超過VUVLO1，芯片開始正常開關。
同步整流芯片JSTR9110特性：
1.兼容DCM、CCM和QR反激轉換器
2.輸出電壓直接供給VCC
3.150uA低靜態電流
4.4.5A驅動電流保證MOSFET快速關斷
5.支持最大200kHz 開關頻率
6.支持低輸出電壓工作
7.采用SOP8封裝形式
同步整流芯片JSTR9110管腳描述：
1.2腳 S 芯片接地管腳（GND）
3 腳VCC電源，VCC 和 GND 之間接電容
4 腳VO檢測輸出電壓，給 VCC 供電
5、6、7、8 腳D 漏極電壓檢測腳
同步整流芯片JSTR9110應用范圍：
l移動設備充電器
l適配器
l反激轉換器
同步整流芯片JSTR9110能夠支持DCM、CCM和Quasi-Resonant反激轉換器，能夠提高系統的效率。次級邊導通時，電流首先通過功率MOSFET的體二極管，電路檢測到功率MOSFET的漏端電壓比其源端電壓低約0.26V時，立即打開功率MOSFET，降低系統的導通損耗。當Ton超過約400ns時，功率MOSFET驅動的邏輯上拉會關閉，而后線性驅動器介入工作。
當通過功率MOSFET的電流下降使得漏端電壓比源端電壓低約40mV時，線性驅動器便會通過降低MOSFET的驅動電壓VDRIVER使MOSFET的阻抗增大，從而將Drain端電壓維持在-40mV左右。當電流接近0時，線性驅動器的調節無法將Drain電壓繼續維持在-40mV，Drain電壓會繼續上升。當其電壓達到-12mV左右時，芯片會立即通過邏輯將功率MOSFET完全關斷。若DRV導通時，VDS>3V則DRV強制關斷MOSFET。功率MOSFET關閉后，同步整流芯片JSTR9110需要檢測到芯片內部SR端電壓達到約6V以上，且持續時間大于0.3us后，才認為是一次有效的原邊導通；而后芯片內部SR下降到-0.26V后立刻打開MOS管；如未檢測到有效的原邊導通，但芯片內部SR仍低于-0.26V，則需要等待大約2us后才打開MOS管,這樣可以在一定程度上避免因諧振干擾造成誤動作。