功能描述
U771X是一款用于替代 Flyback副邊肖特基二極管的高性能同步整流開關， 內置導通阻抗功率MOSFET以提升系統效率。U771X支持“浮地”和“共地”同步整流兩種架構， 也支持系統斷續(xù)工作模式(DCM) 和準諧振工作模式 (QR)。U771X集成有 VDD 欠壓保護功能和 VDD電壓鉗位。U771X內置 VDD 高壓供電模塊，無需 VDD 輔助繞組供電，減低了系統成本。
7.1V穩(wěn)壓器
在原邊 MOSFET 導通期間，IC 內部 7.1V 穩(wěn)壓器將從其 Drain 管腳抽取電流向 VDD 供電，以使 VDD 電壓恒定在 7.1V 左右。基于高頻解耦和供電考慮， 推薦選取容量為 1uF 的陶瓷電容作為 VDD 電容。
系統啟動
系統開機以后，芯片內部高壓 LDO 從 Drain 管腳抽取電流向 VDD 電容供電。
當VDD電壓低于欠壓保護閾值后（3.1V典型值），芯片進入睡眠模式，同時內部同步整流 MOSFET進入關斷狀態(tài)，副邊繞組電流經內部同步整流 MOSFET 的體二極管實現續(xù)流。當 VDD電壓高于 VDD開啟電壓后（4V典型值），芯片開始工作。芯片內部同步整流 MOSFET 只在副邊續(xù)流期間才能開通。
開通階段
初始階段同步整流 MOSFET 處于關閉狀態(tài)，副邊電流經 MOSFET 體二極管實現續(xù)流，同時在體二極管兩端形成一負向 Vds電壓 (<-500mV)。該負向 Vds 電壓遠小于 U771X內部 MOSFET開啟檢測閾值， 故經過開通延遲（Td_on，約 200ns）后內部 MOSFET 開通
關斷階段
在同步整流 MOSFET 導通期間， U771X 采樣MOSFET 漏-源兩端電壓 (Vds)。當 Vds 電壓高于MOSFET 關斷閾值，內部 MOSFET 將在關斷延遲
前沿消隱 (LEB)
在內部同步整流 MOSFET 開通瞬間， 芯片漏- 源(Drain-Source) 之間會產生電壓尖峰。為避免此類電壓尖峰干擾系統正常工作導致芯片誤動作，芯片內部集成有前沿消隱電路 (LEB)。在 LEB 時間（約 1us） 內，關斷比較器被屏蔽， 無法關斷內部同步整流MOSFET，直消隱時間結束
封裝信息 SOP-8