在選擇合適的肖特基之前，對(duì)肖特基二極管有一個(gè)深入的了解。
肖特基二極管則是利用金屬和半導(dǎo)體面接觸產(chǎn)生的勢(shì)壘（barrier）整流作用，這個(gè)接觸面稱為“金屬半導(dǎo) 體結(jié)”，其全名應(yīng)為肖特基勢(shì)壘二極管，簡(jiǎn)稱為肖特基二極管。
現(xiàn)有肖特基二極管大多數(shù)是用硅（Si）半導(dǎo)體材料制作的。20世紀(jì)90年代以來(lái)，出現(xiàn)了用砷化鎵（GaAs）制作SBD。
Si-SBD的特點(diǎn)是：正向壓降PN結(jié)二極管的UDF低，僅為后者的1/2～1/3；trr約為10 ns數(shù)量級(jí)；適用于低電壓（小于50 V）的功率電子電路中（當(dāng)電路電壓高于100 V以上時(shí)，則要選用PIV高的SBD，其正向電阻將增大許多）。
肖特基二極管主要優(yōu)勢(shì)：
1：低壓降，損耗電壓小。
2：開(kāi)關(guān)速度快，損耗小，適用于高頻電路。
肖特基二極管主要劣勢(shì)：
1：反向偏壓較低，承受不了過(guò)大的反向電壓。
2：反向漏電是正溫度系數(shù)的，當(dāng)溫度升高，IR反向漏電會(huì)隨之增大（這是設(shè)計(jì)工作者們?nèi)菀缀雎缘膮?shù)）。
綜上所訴：肖特基二極管適用于高精度、小型化、功能復(fù)雜、低能耗、高頻率等特點(diǎn)的電路。根據(jù)實(shí)際電路的特點(diǎn)，進(jìn)行進(jìn)一步的選型。
銀聯(lián)寶科技的肖特基二極管選型表：
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