- [公司新聞]全負載高效率、低空載損耗的充電器芯片U86212024年11月26日 11:18
- 超結MOSFET的優(yōu)勢在于其具有高耐壓和低電阻的特點。相較于普通高壓VDMOS,超結MOSFET的導通電阻遠小,適用于高能效和高功率密度的快速開關應用。此外,超結MOSFET的額定電壓越高,導通電阻的下降越明顯,使其在中低功率水平下的高速運行非常適合。充電器芯片U8621是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PW電源管理芯片,內(nèi)置1.9Ω/630V的超結硅功率MOS。 充電器芯片U8621主要功能如下: 1、系統(tǒng)啟動和靜態(tài)電流 充電器芯片U8621的啟動電流低至10uA,啟動
- 閱讀(27) 標簽: