- [公司新聞]65W全壓700V底部無PAD氮化鎵快充芯片U87662025年03月20日 15:32
- 深圳銀聯寶科技推出的氮化鎵快充芯片集成高頻高性能準諧振模式,顯著降低磁性元件體積,同時通過同步整流技術將效率翻番。比如今天介紹的65W全壓700V底部無PAD氮化鎵快充芯片U8766,擁有超低啟動和工作電流,可實現小于30mW的超低待機功耗,勢如破竹! 氮化鎵快充芯片U8766集成高壓E-Mode GaN FET,為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統效率,芯片內置了高精度、高可靠性的驅動電路,驅動電壓為VDRV (典型值 6.2V)。EMI性能為高頻交直流轉換器的
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