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06-11 2025
銀聯(lián)寶快充電源ic U8731滿足快速充電硬核需求 作為蘋果全新打造的iOS操作系統(tǒng),視覺效果確實令人耳目一新,但新界面所帶來的耗電量嚴重、續(xù)航時間縮短、機身發(fā)熱發(fā)燙等問題,讓體驗感大打折扣。無論系統(tǒng)多么炫酷,對于手機而言,電量是血液,手機充電器則是供血站。還好有深圳銀聯(lián)寶科技帶來的,集成GaN FET、帶恒功率功能的高性能快充電源icU8731,可以讓充電效率翻倍,續(xù)航升級,一起看看吧! E-GaN快充電源icU8731特點: ●集成 700V E-GaN ●集成高壓啟動功能 ●超低啟動和工作電流,待機功耗 30mW ●谷 查看詳情
06-10 2025
同步整流芯片U771XC系列型號包含:U7710SMC、U7710C、U7711C 典型應用在反激變換器、充電器領(lǐng)域的高性能同步整流芯片U771XC系列,包含了U7710SMC、U7710C、U7711C這三個型號,主要差異表現(xiàn)在內(nèi)部MOSFET導通阻抗不同,分別為U7710SMC-25m?、U7710C-19m?、U7711C-15m?,主要性能一起了解下! ■產(chǎn)品描述 同步整流芯片U771XC是一款用于替代反激變換器中副邊肖特基二極管的低成本、高性能同步整流功率開關(guān),內(nèi)置超低導通阻抗功率MOSFET以提升系統(tǒng)效率。U771XC支持Low Side配置, 查看詳情
06-09 2025
U8722SP+U7715A——PD20W單壓認證款氮化鎵電源應用方案 PD20W單壓認證款氮化鎵電源應用方案規(guī)格參數(shù): 輸入規(guī)格:175V-264V 50Hz 輸出規(guī)格:C 口 PD20W:5V3A 、9V2.22A 、12V1.67A 芯片型號:主控氮化鎵電源芯片-U8722SP、同步整流芯片-U7715A、協(xié)議-XPD317 主控氮化鎵電源芯片U8722SP特色: 1、集成 700V E-GaN 2、集成高壓啟動功能 3、超低啟動和工作電流,待機功耗 30mW 4、谷底鎖定模式, 最高工作頻率兩檔可調(diào)(220kHz,130kHz) 5、集成 查看詳情
06-06 2025
低靜態(tài)電流快充電源芯片U8621功耗低、待機長 靜態(tài)電流是指芯片在不進行任何操作時的電流消耗,如果靜態(tài)電流低,說明芯片在待機狀態(tài)下消耗的電能非常少。這種特性使得芯片特別適用于需要長時間運行且耗電量要求較低的場合,如便攜式充電器和需要長時間待機的適配器等設(shè)備。快充電源芯片U8621的啟動電流低至10uA,啟動電路的電阻值可以高達4M,這樣使電源系統(tǒng)擁有更低的損耗;芯片靜態(tài)電流低至500uA,使得電源系統(tǒng)設(shè)計者更加輕松應對能源之星6或者能效6級的能效標準。 快充電源芯片U8621是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM 查看詳情
06-05 2025
20V單高壓帶恒功率氮化鎵PD快充芯片U8725AHE 充電器和適配器等快充設(shè)備,需匹配高功率密度與寬電壓輸出范圍的快充芯片。深圳銀聯(lián)寶科技推出的20V單高壓帶恒功率氮化鎵PD快充芯片U8725AHE,集成高壓啟動、功率器件和保護電路,省去外部Boost/Buck電路及分立元件,縮小PCB面積;內(nèi)置高壓E-GaN和Boost供電電路,支持寬電壓輸出,切莫錯過! PD快充芯片U8725AHE主要特性: 1.集成 高壓 E-GaN 2.集成高壓啟動功能 3.超低啟動和工作電流,待機功耗 30mW 4.谷底鎖定模式, 最高工作頻率兩檔可 查看詳情
06-05 2025
恒壓恒流PSR 12V2A氮化鎵電源方案U8608+U7613A 在手機充電器的應用中,電池與充電器之間一般會通過一定長度的電纜相連,由此也將導致輸送到電池端的電壓產(chǎn)生一定的電壓降。氮化鎵電源icU8608內(nèi)置線損補償功能,根據(jù)負載的變化調(diào)整線損補償量,從而使得線纜輸出端獲得平直的恒壓輸出曲線。線損補償?shù)淖畲笾禐檩敵鲭妷旱?%。再搭配同步整流icU7613A,就可獲得一個品質(zhì)可靠、性能高效的恒壓恒流PSR 12V2A氮化鎵電源方案! 深圳銀聯(lián)寶氮化鎵電源icU8608是一款集成E-GaN的恒壓恒流PSR反激功率開關(guān)管,可為18~65W適配器 查看詳情
06-04 2025
45W單壓單C氮化鎵電源方案:主控U8722EE+同步U7116W 45W單壓單C氮化鎵電源方案推薦的主控芯片是來自深圳銀聯(lián)寶科技的氮化鎵電源芯片U8722EE,同步也是采用銀聯(lián)寶的同步整流芯片U7116W。為大家介紹下芯片的主要性能! 氮化鎵電源芯片U8722EE特性: 集成700V E-GaN 集成高壓啟動功能 超低啟動和工作電流,待機功耗30mW 谷底鎖定模式,最高工作頻率兩檔可調(diào)(220kHz,130kHz) 集成EMI優(yōu)化技術(shù) 驅(qū)動電流分檔配置 集成 Boost 供電電路 集成完備的保護功能: VDD過壓/欠壓保護 (VDD OV 查看詳情
06-03 2025
內(nèi)置0.85/650V的超結(jié)硅電機驅(qū)動器電源芯片U8623 ■功能描述 電機驅(qū)動器電源芯片U8623是一款峰值電流控制方式的PWM電源管理芯片,適用于離線型的反激拓撲開關(guān)變換器。U8623內(nèi)置合封一顆0.85Ω/650V的高壓MOS。芯片設(shè)計有完善的多種保護功能和自適應選擇工作模式,使得適用U8623的電源系統(tǒng)具有全負載高效率、低空載損耗、低EMI干擾和高EMS抗干擾、極少外圍應用元件。 ■系統(tǒng)啟動和靜態(tài)電流 電機驅(qū)動器電源芯片U8623的啟動電流低至10uA,啟動電路的電阻值可以高達4M,這樣使電源系統(tǒng)擁有更低的損耗;芯片靜態(tài)電流 查看詳情
05-30 2025
集成MOS耐壓700V低啟動低功耗的PD快充芯片U8722SP 耐壓值定義了芯片安全工作電壓上限,若輸入電壓超過該值(如動態(tài)波動或負載突變),可能引發(fā)擊穿或永久損壞,直接影響器件可靠性、性能表現(xiàn)及系統(tǒng)適配性。高耐壓芯片需更大厚度或更高電阻率的半導體材料,工藝制程要求更高。深圳銀聯(lián)寶科技的PD快充芯片U8722SP是一款集成 E-GaN 的高頻高性能準諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān),集成MOS耐壓700V,值得一試! PD快充芯片U8722SP集成了高壓啟動功能。如圖1所示,在啟動階段,U8722SP通過芯片DRAIN腳對VDD充電,當VDD電 查看詳情
05-29 2025
12v3a原邊反饋快充電源ic U8609節(jié)省光耦和TL431 GaN FET支持MHz級開關(guān)頻率,顯著高于傳統(tǒng)硅基器件,通過減小無源元件體積實現(xiàn)系統(tǒng)小型化,使開關(guān)損耗降低20%-30%。深圳銀聯(lián)寶快充電源icU8609合封第三代半導體GaN FET,最高工作頻率130kHz,采用原邊反饋控制,可節(jié)省光耦和TL431,簡化電源BOM,有利于降低電源尺寸! 快充電源icU8609是一款集成E-GaN的恒壓恒流PSR反激功率開關(guān)管,可為18~65W適配器應用提供全新的解決方案。U8609集成谷底鎖定技術(shù)可以防止頻率抖動產(chǎn)生噪音。它采用CS 查看詳情
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