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副邊25W開關電源芯片 SF5930
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專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
±5%恒壓恒流精度
快速動態響應，大小減小輸出紋波
支持輸出電壓大小50V
原邊反饋（PSR）控制，無需光耦和TL431
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副邊25W開關電源芯片 SF5920
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專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
±5%恒壓恒流精度
快速動態響應，大小減小輸出紋波
支持輸出電壓大小50V
原邊反饋（PSR）控制，無需光耦和TL431
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原邊10W開關電源芯片 U6117SA
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原邊反饋/內置MOSFET
效率滿足六級能效要求
低待機功耗小于70mW
內置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
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原邊25W開關電源芯片 SF6771T
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原邊反饋/外置MOSFET
效率滿足六級能效要求
優化降頻技術提率
零OCP恢復間隙控制避免低壓啟動失敗
內置頻率抖動EMI
內置同步斜率補償. 逐周期電流限制, 內置前沿消隱
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副邊60W開關電源芯片 U6201
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恒流控制支持CCM和DCM模式
自動補償輸入電壓.電感感量變化
±5％恒壓恒流精度, 快速動態響應控制
副邊反饋/外驅MOSFET,待機功耗小于75Mw
65KHZ 固定工作頻率
啟動電流
逐周期電流限制,
內置斜率補償
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原邊6W開關電源芯片 U6117S
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效率滿足六級能效要求
低待機功耗小于70mW
內置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
內置快速動態響應控制，無異音工作
內置可編程線損電壓補償
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現高精度
原邊反饋/內置MOSFET,內置短路保護
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原邊12W開關電源芯片 U6315
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QR-PSR控制提高工作效率。
±4% 的恒流恒壓精度,PSR控制模式。
系統效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求,待機＜70mW。
原邊反饋/內置三極管,內置專利的線損電壓補償。
內置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護。
VDD欠壓保護，VDD過壓保護及鉗位。
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原邊6W開關電源芯片 U6215
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效率滿足六級能效要求
內置700V 功率三極管
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
內置可編程線損電壓補償
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現高精度
原邊反饋/內置三極管,內置短路保護
逐周期電流限制, 內置前沿消隱
OTP過溫保護
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副邊65W開關電源芯片 SF5533
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副邊反饋/外驅MOSFET
效率滿足六級能效要求
優化降頻技術提率
無異音OCP補償低壓重載異音
零OCP恢復間隙控制避免低壓啟動失敗
內置頻率抖動EMI
內置4mS軟啟動, 管腳浮空保護
內置同步斜率補償. 逐周期電流限制, 內置前沿消隱
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副邊18W開關電源芯片 SF5549H
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副邊反饋/內置MOSFET
效率滿足六級能效要求
內置650V 功率MOSFET
內置65KHz 工作頻率
零OCP恢復間隙控制避免低壓啟動失敗
電流啟動
內置4mS軟啟動, 管腳浮空保護
內置頻率抖動EMI
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原邊5W開關電源芯片 SF6022
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效率滿足六級能效要求
原邊反饋/內置反饋腳(FB)短路保護
±4％恒壓恒流精度，支持高50V 輸出電壓
內置快速動態響應控制，無異音工作，
內置專利的線損電壓補償，提高量產精度
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現高精度
內置軟啟動,啟動電流,管腳浮空保護
逐周期電流限制, 內置前沿消隱
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
零電壓帶載啟動減小OCP恢復間隙
VDD欠壓保護（UVLO）,過壓保護及鉗位
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原邊15W開關電源芯片 SF5938S
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效率滿足六級能效要求
原邊反饋/內置600V 功率MOSFET
內置反饋腳(FB)短路保護
內置專利的線損補償,提高量產精度
內置快速動態響應控制
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現高精度
內置軟啟動,啟動電流,管腳浮空保護
逐周期電流限制, 內置前沿消隱
支持高50V 輸出電壓
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原邊13W開關電源芯片 SF6773V
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效率滿足六級能效要求
原邊反饋/內置650V 功率MOSFET
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
內置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護
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隔離36W開關電源芯片 SFL950
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提高系統效率，異音。
內置頻率抖動EMI。
系統效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求。
內置高低壓過流補償。
內置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護。
待機功耗(≤75mW)
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副邊50W開關電源芯片 SF5773
品牌：銀聯寶電子更多 +
型號：SF5773 SSR控制模式，
±5% 的恒壓精度。
副邊反饋/外驅MOSFET
系統效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求,待機＜75mW。
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副邊15W開關電源芯片 SF5539H
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效率滿足六級能效要求
副邊反饋/內置600V 功率MOSFET
內置65KHz 工作頻率
零OCP恢復間隙控制避免低壓啟動失敗
內置4mS軟啟動, 管腳浮空保護
內置頻率抖動EMI
- [公司新聞]36W E-GaN快充電源ic U8609前沿消隱復合保護體系2025年06月23日 11:01
- 前沿消隱是開關電源系統中用于消除功率器件導通瞬間脈沖尖峰引發誤觸發動作的保護技術。該技術通過在開關管導通后設定特定消隱時間窗口，在此期間屏蔽電流檢測信號，避免寄生電容充放電或變壓器漏感導致的尖峰電壓誤觸發過流保護機制。現代電源芯片普遍將LEB功能與逐周期限流、退飽和保護等模塊集成，形成復合保護體系。一起來看看36W E-GaN快充電源icU8609的前沿消隱是如何發揮作用的！ 由于原邊功率開關寄生電容、變壓器寄生電容和副邊整流管反向恢復的原因，功率開關開通瞬間會在采樣電阻上
- 閱讀（5） 標簽：
- [公司新聞]E-GaN電源芯片U8733L集成外置溫度檢測和恒功率功能2025年06月19日 10:11
- 開關電源NTC傳感器能夠感知微小的溫度變化，一旦溫度超過預設的安全閾值，便會觸發保護機制，如降低電流或切斷電源，以防止設備受損或安全事故的發生。E-GaN電源芯片U8733L集成外置NTC功能，具備溫度檢測和恒功率功能，推薦給大家！ E-GaN電源芯片U8733L集成外置NTC功能，NTC引腳外接NTC電阻，通過內部上拉電流源上拉，檢測TEM引腳電壓，當判定TEM管腳電壓Vntc VCP時，觸發降功率功能。當判定TEM管腳電壓Vntc VOTP時，觸發外置過溫保護功能。降功
- 閱讀（7） 標簽：
- [公司新聞]20W氮化鎵電源ic U8722SP谷底鎖定模式優化損耗2025年05月15日 14:33
- 谷底鎖定模式是一種應用于開關電源如反激式拓撲、準諧振電源中的關鍵技術，其核心在于通過精確控制開關管的導通時機以降低損耗和提升系統穩定性。在深圳銀聯寶科技最新推出的20W氮化鎵電源icU8722SP中，谷底鎖定及降頻工作模式，可以有效避免負載變化時因谷底跳頻導致的變壓器工作不穩定或噪聲問題，延長器件壽命，也為系統效率帶來了一定的提升！ 氮化鎵電源icU8722SP采用峰值電流控制模式，可以自適應的工作在QR和降頻工作模式，從而實現全負載功率范圍內的效率優化。在滿載和重載工況下
- 閱讀（11） 標簽：
- [公司新聞]5V2.1A電源方案推薦主控U92143+同步U77102025年04月14日 14:58
- 5V2.1A電源方案推薦深圳銀聯寶科技的開關電源芯片U92143+同步整流芯片U7710，有興趣的小伙伴可以來電詢問詳細資料。今天簡單介紹下！ 開關電源芯片U92143是一款高性能、低成本的原邊控制功率開關，內置高壓功率三極管，可提供高精度恒壓和恒流輸出性能，尤其適合于小功率離線式充電器應用。采用U92143可以工作無異音，同時可保證優異的動態性能。利用集成的線損補償功能，可獲得高性能的恒壓輸出表現。 開關電源芯片U92143集成有多種保護功能：如VDD欠壓保護(UVLO)
- 閱讀（9） 標簽：
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