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副邊150W開關電源芯片 SF5897
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滿足六級能效
副邊反饋/外驅MOSFET,內置軟啟動
輸出過壓保護(OVP)電壓可外部編程
內置拔插頭鎖存(latch plugoff)保護
管腳浮空保護
逐周期電流限制,內置前沿消隱
內置高低壓過流補償實現全電壓平坦OCP曲線
VDD欠壓保護(UVLO),過壓保護及鉗位
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副邊70W開關電源芯片 SF5887
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副邊反饋/外驅MOSFET,內置軟啟動
效率滿足六級能效
輸出過壓保護(OVP)電壓可外部編程
外部編程過溫(OTP)保護
內置拔插頭鎖存(latch plugoff)保護
管腳浮空保護
啟動電流
內置高低壓過流補償實現全電壓平坦OCP曲線
內置前沿消隱
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副邊50W開關電源芯片 SF1530
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副邊反饋/外驅MOSFET,管腳浮空保護
系統頻率可編程,并內置頻率抖動EMI
內置同步斜率補償
逐周期電流限制,內置前沿消隱
內置高低壓過流補償實現全電壓平坦OCP曲線
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副邊25W開關電源芯片 SF5930
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專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
±5%恒壓恒流精度
快速動態響應,大小減小輸出紋波
支持輸出電壓大小50V
原邊反饋(PSR)控制,無需光耦和TL431
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副邊25W開關電源芯片 SF5920
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專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
±5%恒壓恒流精度
快速動態響應,大小減小輸出紋波
支持輸出電壓大小50V
原邊反饋(PSR)控制,無需光耦和TL431
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原邊10W開關電源芯片 U6117SA
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原邊反饋/內置MOSFET
效率滿足六級能效要求
低待機功耗小于70mW
內置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4%恒壓恒流精度,多模式PSR控制
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PFC肖特基 P10V45SP
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在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下,電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下,漏電電流較少
在較高的反向電壓下,開關速度更快
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PFC肖特基 PTR20L80CT
更多 +
在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下,電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下,漏電電流較少
在較高的反向電壓下,開關速度更快
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PFC肖特基 PFS5A60
更多 +
在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下,電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下,漏電電流較少
在較高的反向電壓下,開關速度更快
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PFC肖特基 PFR20L200CT
更多 +
在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下,電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下,漏電電流較少
在較高的反向電壓下,開關速度更快
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PFC肖特基 PFR10L200CTF
更多 +
在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下,電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下,漏電電流較少
在較高的反向電壓下,開關速度更快
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PFC肖特基 PTR30L80CTF
更多 +
在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下,電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下,漏電電流較少
在較高的反向電壓下,開
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PFC肖特基 PFR30L60CTF
更多 +
在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下,電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下,漏電電流較少
在較高的反向電壓下,開關速度更快
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PFC肖特基 P5L45F-A
更多 +
在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下,電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下,漏電電流較少
在較高的反向電壓下,開關速度更快
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PFC肖特基 PFR2060CTF
更多 +
在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下,電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下,漏電電流較少
在較高的反向電壓下,開關速度更快
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PFC肖特基 PTR20100CTB
更多 +
在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下,電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下,漏電電流較少
在較高的反向電壓下,開關速度更快
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PFC肖特基 PTR20L100CT
更多 +
在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下,電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下,漏電電流較少
在較高的反向電壓下,開關速度更快
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PFC肖特基 PT20L100D
更多 +
在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下,電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下,漏電電流較少
在較高的反向電壓下,開關速度更快
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PFC肖特基 PFR20V45CT
更多 +
在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下,電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下,漏電電流較少
在較高的反向電壓下,開關速度更快