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副邊15W開(kāi)關(guān)電源芯片 U6203D
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效率滿足六級(jí)能效要求
副邊反饋/內(nèi)置600V 功率MOSFET
內(nèi)置65KHz 工作頻率
零OCP恢復(fù)間隙控制避免低壓?jiǎn)?dòng)失敗
內(nèi)置4mS軟啟動(dòng), 管腳浮空保護(hù)
內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI
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原邊10W開(kāi)關(guān)電源芯片TB6810
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原邊反饋/外驅(qū)三極管
支持高50V輸出電壓
內(nèi)置專利的線損電壓補(bǔ)償，提高量產(chǎn)精度
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓、電感感量變化，實(shí)現(xiàn)高精度
內(nèi)置軟啟動(dòng)，啟動(dòng)電流，管腳浮空保護(hù)
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原邊18W開(kāi)關(guān)電源芯片TB6818
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原邊反饋/內(nèi)置MOSFET
內(nèi)置環(huán)路補(bǔ)償，省去額外的補(bǔ)償或?yàn)V波電容
提高系統(tǒng)效率優(yōu)化降頻曲線和減小電磁干擾，可實(shí)現(xiàn)輕載無(wú)異音
多模（Multi-Mode）控制的高精度原邊反饋控制（PSR）恒流恒壓（CC/CV）控制器
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原邊12W開(kāi)關(guān)電源芯片TB6806D
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效率滿足六級(jí)能效要求
低待機(jī)功耗小于75mW
原邊反饋,內(nèi)置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
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原邊10W開(kāi)關(guān)電源芯片TB6806SA
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原邊反饋/內(nèi)置MOSFET
效率滿足六級(jí)能效要求
低待機(jī)功耗小于75mW
內(nèi)置600V 功率MOSFET
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原邊5W開(kāi)關(guān)電源芯片TB6806S
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效率滿足六級(jí)能效要求
低待機(jī)功耗小于75mW
內(nèi)置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
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原邊15W開(kāi)關(guān)電源芯片U6118
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原邊反饋/外驅(qū)三極管
支持高50V輸出電壓
內(nèi)置專利的線損電壓補(bǔ)償，提高量產(chǎn)精度
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓、電感感量變化，實(shí)現(xiàn)高精度
內(nèi)置軟啟動(dòng)，啟動(dòng)電流，管腳浮空保護(hù)
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副邊15W開(kāi)關(guān)電源芯片 TB3815
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效率滿足六級(jí)能效要求
副邊反饋/內(nèi)置600V 功率MOSFET
內(nèi)置65KHz 工作頻率
零OCP恢復(fù)間隙控制避免低壓?jiǎn)?dòng)失敗
內(nèi)置4mS軟啟動(dòng), 管腳浮空保護(hù)
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原邊12W開(kāi)關(guān)電源芯片 TB6812
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效率滿足六級(jí)能效要求
原邊反饋/內(nèi)置650V 功率MOSFET
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化,實(shí)現(xiàn)高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
內(nèi)置軟啟動(dòng)，啟動(dòng)電流，管腳浮空保護(hù)
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副邊65W開(kāi)關(guān)電源芯片 TB3865
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恒流控制支持CCM和DCM模式
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化
±5％恒壓恒流精度, 快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)控制
副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,待機(jī)功耗小于75Mw
65KHZ 固定工作頻率
啟動(dòng)電流
逐周期電流限制,
內(nèi)置斜率補(bǔ)償
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副邊90W開(kāi)關(guān)電源芯片TB3890
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頻率可外部編程，并內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI
副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,啟動(dòng)電流
管腳浮空保護(hù)
內(nèi)置同步斜率補(bǔ)償
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置高低壓過(guò)流補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)全電壓平坦OCP
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原邊25W開(kāi)關(guān)電源芯片 TB6825
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原邊反饋/外驅(qū)MOSFET
恒流控制支持CCM和DCM模式
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化
±5％恒壓恒流精度, 快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)控制
待機(jī)功耗小于75Mw
65KHZ 固定工作頻率
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原邊6W開(kāi)關(guān)電源芯片 TB5806
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效率滿足六級(jí)能效要求
內(nèi)置700V 功率三極管
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
內(nèi)置可編程線損電壓補(bǔ)償
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化,實(shí)現(xiàn)高精度
原邊反饋/內(nèi)置三極管,內(nèi)置短路保護(hù)
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
OTP過(guò)溫保護(hù)
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原邊12W開(kāi)關(guān)電源芯片 TB5812
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QR-PSR控制提高工作效率。
±4% 的恒流恒壓精度,PSR控制模式。
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級(jí)能效’ Tier2 要求,待機(jī)＜75mW。
原邊反饋/內(nèi)置三極管,內(nèi)置專利的線損電壓補(bǔ)償。
內(nèi)置軟啟動(dòng)，啟動(dòng)電流，管腳浮空保護(hù)。
VDD欠壓保護(hù)，VDD過(guò)壓保護(hù)及鉗位。
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副邊75W開(kāi)關(guān)電源芯片U6101D
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頻率可外部編程，并內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI
副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,啟動(dòng)電流
管腳浮空保護(hù)
內(nèi)置同步斜率補(bǔ)償
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置高低壓過(guò)流補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)全電壓平坦OCP
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副邊75W開(kāi)關(guān)電源芯片U6101S
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頻率可外部編程，并內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI
副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,啟動(dòng)電流
管腳浮空保護(hù)
內(nèi)置同步斜率補(bǔ)償
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置高低壓過(guò)流補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)全電壓平坦OCP
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U3012(DIP-8)
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內(nèi)部集成高壓功率管寬電壓輸入電壓范圍:20V 200V
外接元件少，無(wú)需外圍補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)能達(dá)到穩(wěn)定的動(dòng)態(tài)相應(yīng)
低功耗與率（可達(dá)到 85%）
外接一個(gè)小功率電阻可控制峰值電流
固定的震蕩頻率加一個(gè)微調(diào)頻點(diǎn)以及頻率打嗝
封裝形式：DIP-8 和 SO-8
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U3012(SOP-8)
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內(nèi)部集成高壓功率管寬電壓輸入電壓范圍:20V 200V
外接元件少，無(wú)需外圍補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)能達(dá)到穩(wěn)定的動(dòng)態(tài)相應(yīng)
低功耗與率（可達(dá)到 85%）
外接一個(gè)小功率電阻可控制峰值電流
固定的震蕩頻率加一個(gè)微調(diào)頻點(diǎn)以及頻率打嗝
封裝形式：DIP-8 和 SOP-8
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原邊13W開(kāi)關(guān)電源芯片 U6773S
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效率滿足六級(jí)能效要求
原邊反饋/內(nèi)置650V 功率MOSFET
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化,實(shí)現(xiàn)高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
內(nèi)置軟啟動(dòng)，啟動(dòng)電流，管腳浮空保護(hù)
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