同一套電源芯片方案，可直接應(yīng)用于不同的電壓輸出上，這不僅有效節(jié)省成本，更是大大縮短了開發(fā)時間，使項目收益最大化。深圳銀聯(lián)寶科技最新推出的25W氮化鎵電源芯片方案U8723AH+U7612B，輸出可選5V、9V、12V，注重空間布局和兼容性問題，通過了認(rèn)證測試，低耗高效，值得推薦！

同步整流芯片U7612B是一款高頻率、高性能、CCM同步整流開關(guān)，可以在GaN系統(tǒng)中替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。在VDD電壓上升到VDD開啟電壓VDD_ON (典型值4.5V)之前，芯片處于關(guān)機(jī)狀態(tài)。內(nèi)部Gate智能鉗位電路可以保證內(nèi)置MOSFET不會發(fā)生高dv/dt導(dǎo)致的誤開通。當(dāng)VDD電壓達(dá)到VDD_ON之后，芯片啟動，內(nèi)部控制電路開始工作，副邊繞組電流Is經(jīng)內(nèi)置MOSFET的溝道實現(xiàn)續(xù)流。當(dāng)VDD電壓低于欠壓保護(hù)閾值VDD_OFF(典型值 3.3V)后，芯片關(guān)機(jī)，副邊繞組電流Is經(jīng)內(nèi)置MOSFET的體二極管實現(xiàn)續(xù)流。

同步整流芯片U7612B的PCB設(shè)計建議：

1) 副邊主功率回路Loop1的面積盡可能小。

2) VDD 電容推薦使用1μF的貼片陶瓷電容，盡量緊靠IC，Loop2的面積盡可能小。

3) R1和C1構(gòu)成同步整流開關(guān)的RC吸收電路，RC吸收回路Loop3的面積可能小。

氮化鎵電源芯片U8723AH引腳說明：

1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳

2 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳

3 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測、驅(qū)動能力分檔判定管腳

4 SW P Boost 電路內(nèi)置 MOS 的漏極管腳

5 GND P 芯片參考地

6 VDD P 芯片供電管腳

7 DRAIN P 內(nèi)置高壓 GaN FET 漏極、高壓啟動供電管腳

氮化鎵電源芯片U8723AH是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)。芯片集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗。U8723AH的工作頻率最高可達(dá)220kHz，可全范圍工作在準(zhǔn)諧振模式。芯片集成峰值電流抖動功能和驅(qū)動電流配置功能，可極大的優(yōu)化系統(tǒng)EMI性能。芯片內(nèi)置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓的應(yīng)用場景。

氮化鎵電源芯片U8723AH+同步整流芯片U7612B組合方案，可顯著降低空載待機(jī)功耗，和大幅提升滿載和輕載效率，同時縮短市場投放時間和減少物料清單成本，適用于快速充電器、筆記本電源適配器、小功率電動工具充電器、服務(wù)器輔助電源等多種應(yīng)用場景！