代的集成電路和代晶體管一樣，都是鍺基電路。

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但是鍺有一些很難解決的問題：比如熱穩定性，比如氧化物不致密，比如界面缺陷很多。這些問題導致鍺基電路始終走不出實驗室，只能在論文里刷刷存在感。
于是研究者們順著元素周期表向上爬了一格，看中了硅。

硅和鍺一比，簡直就是半導體界的模范元素。
熱穩定性不錯，有著致密、高介電常數的氧化物，可以輕易制備出界面缺陷極少的硅-氧化硅界面，地表含量極大，提純非常容易……
更妙的是，氧化硅不溶于水（氧化鍺溶于水），也不溶于大多數的酸，這簡直是和印刷電路板的腐蝕印刷技術一拍即合。結合的產物，就是延續今的集成電路平面工藝。

當然，集成電路的工藝精度要求比印刷電路板高了不止一個量級，直接套用印刷電路板的技術自然是不行的。于是集成電路自己發展出了一套光刻-腐蝕（刻蝕）-擴散（注入）-濺射（淀積）的工藝體系，這就是延續今的集成電路平面工藝。

所謂平面工藝，是因為所有工藝步驟都是對整個硅晶圓表面均勻進行，整開關電源芯片個工藝完全是二維圖形的操作。

平面工藝制備BJT是有一些困難的：

BJT是PNP（或是NPN）的三層結構，在使用平面工藝制備的時候，如果把三層縱向放，就需要浪費一定的面積給下面兩層引出到表面，而且工藝步驟也較復雜。如果三層橫向放置，由于BJT的基極（B級）非常薄，以當時的光刻和摻雜精度很難實現。

后工藝界使用的縱向放置來實現BJT，以這個工藝為基礎，集成電路進入了TTL（Transistor-Transistor Logic，晶體管-晶體管邏輯電路）時代。

目前為止后一次大的變革，是90年代CMOS（互補金屬氧化物半導體）取代了TTL占據了市場主流。

CMOS的基礎是MOSFET（金屬氧化物半導體場效應管），前文提到場效應管的歷史可以追溯到20年代，但是MOSFET的誕生要等到1960年。新生的MOSFET很快取代了JFET，成為了場效應管的主流。
60年代到90年代，面對如日中天的BJT，MOSFET始終被壓制著。主要原因是BJT的電流更大，速度更快，耐壓耐擊穿更強。雖然MOSFET因為工藝步驟少、占用面積小，所以更便宜一些，但是始終沒能占據主流。

不過這將近30年的時間里，集成電路產業跟著戈登·摩爾的預言經歷了的瘋狂發展。工藝精度每1-2年就要前進一個節點（特征尺寸*0.7）。
隨著電路尺寸越來越小，芯片上集成的晶體管越來越多，芯片的功耗和發熱已經成了一個非常嚴峻的問題。這個時候TTL和BJT電路的一個先天劣勢就暴露了出來。開關電源芯片

BJT本質上，是一個輸入電流控制輸出電流，實現電流放大的三端器件。由于輸入信號是電流，輸入信號消耗功耗。而且BJT的特性和大量使用的電阻負載和偏置以及較高的工作電壓，也使得TTL電路的關斷漏電和靜態功耗很難抑制。

而MOSFET則不同，場效應管是一個通過輸入電壓控制輸出電流的多端器件，它的輸入漏電比BJT要小幾個數量級。而且MOSFET的溝道電流要小于BJT（這也是MOSFET速度慢的原因之一），關斷漏電上抑制非常好。后，CMOS工藝徹底排除了電阻負載，使用PMOS、NMOS互為負載，實現了近乎于0的靜態功耗。

CMOS的結構也比TTL更簡單，實現成本更低。

功耗和成本上的雙重優勢，終壓倒了TTL那越來越小的性能優勢。CMOS占據了集成電路的主流地位。

再之后的發展，更多的是在CMOS的基礎上對材料和結構做一點小修小補（雙阱工藝、strain、SOI襯底、HK-MG、FIN-FET）來延續摩爾定律。但是硅襯底和CMOS結構兩大基礎沒有再發生變化。