無需輔助繞組的電流過零檢測技術，可省去輔助繞組和VDD電容，減少外圍元件數量，還能準諧振模式降低開關損耗，集成逐周期電流限制、VDD欠壓保護、過熱保護等多重安全機制?？偟膩碚f，可顯著簡化電路設計，同時滿足高精度、高可靠性的應用需求。銀聯寶電源芯片U6113具備此功能！

為了保證系統工作在準諧振模式下，電源芯片U6113利用檢測流經內部高壓MOSFET漏極和門極間寄生的米勒電容Crss的電流實現電流過零點的檢測。當電感電流續流到零后，電感和高壓MOSFET的輸出電容開始諧振過程。此過程中MOSFET的Drain端電壓開始下降，同時會有一由地到MOSFET Drain端的負向電流流經Crss電容。反之，當MOFET關斷Drain端電壓上升時，會有一正向電流流經Crss電容。

電源芯片U6113主要特性：

1、內部集成 550V 高壓 MOSFET

2、±4% 恒流精度

3、超低 VDD 工作電流

4、準諧振工作模式提高系統效率

5、無需輔助繞組

6、集成式高壓電流源提高啟動速度

7、集成式線電壓補償優化調整率

8、集成式過熱功率補償

9、內部保護功能:

LED 開路和短路保護

芯片過熱保護

逐周期電流限制

前沿消隱

腳位懸空保護

VDD 腳欠壓保護

10、極簡封裝：TO-92

在電源芯片U6113內部，只要當內部高壓MOSFET 關斷時，5.8V的穩壓器就會從芯片的Drain管腳端抽取一定的電流給VDD電容充電至5.8V；再當內部高壓MOSFET導通的時候，5.8V穩壓器則停止工作而芯片靠VDD電容提供供電以正常運行。由于芯片的工作電流超低，所以利用從芯片Drain管腳抽取的電流足以使其連續穩定地工作。通常情況下，建議使用1uF的VDD電容用以濾除高頻噪聲和作為芯片供電。

電源芯片U6113的電流過零檢測技術主要通過芯片內部集成的高壓檢測電路或寄生參數采樣實現，超低（典型值為140uA）的工作電流，綜合考慮精度、成本和安全性要求，是一款經典的低耗低成本LED驅動場景應用電源方案！