小器件、大作用的MOS管五大關鍵點？
1、結構和符號
2、工作原理
3、特性曲線
4、其它類型MOS管
(1)N溝道耗盡型：制造時在柵極絕緣層中摻有大量的正離子，所以即使在VGS=0時，由于正離子的作用，兩個N區之間存在導電溝道(類似結型場效應管)。
(2)P溝道增強型：VGS = 0時，ID = 0開啟電壓小于零，所以只有當VGS < 0時管子才能工作。
(3)P溝道耗盡型：制造時在柵極絕緣層中摻有大量的負離子，所以即使在VGS=0 時，由于負離子的作用，兩個P區之間存在導電溝道(類似結型場效應管)。
5、場效應管的主要參數
(1) 開啟電壓VT ：在VDS為一固定數值時，能產生ID所需要的小 |VGS | 值。(增強)
(2) 夾斷電壓VP ：在VDS為一固定數值時，使 ID對應一微小電流時的 |VGS | 值。(耗盡)
(3) 飽和漏極電流IDSS ：在VGS = 0時，管子發生預夾斷時的漏極電流。(耗盡)
(4) 極間電容 ：漏源電容CDS約為 0.1～1pF，柵源電容CGS和柵漏極電容CGD約為1～3pF。
(5) 低頻跨導 gm ：表示VGS對iD的控制作用。
(6) 大漏極電流 IDM
(7) 大漏極耗散功率 PDM
2、工作原理
3、特性曲線
4、其它類型MOS管
(1)N溝道耗盡型：制造時在柵極絕緣層中摻有大量的正離子，所以即使在VGS=0時，由于正離子的作用，兩個N區之間存在導電溝道(類似結型場效應管)。
(2)P溝道增強型：VGS = 0時，ID = 0開啟電壓小于零，所以只有當VGS < 0時管子才能工作。
(3)P溝道耗盡型：制造時在柵極絕緣層中摻有大量的負離子，所以即使在VGS=0 時，由于負離子的作用，兩個P區之間存在導電溝道(類似結型場效應管)。
5、場效應管的主要參數
(1) 開啟電壓VT ：在VDS為一固定數值時，能產生ID所需要的小 |VGS | 值。(增強)
(2) 夾斷電壓VP ：在VDS為一固定數值時，使 ID對應一微小電流時的 |VGS | 值。(耗盡)
(3) 飽和漏極電流IDSS ：在VGS = 0時，管子發生預夾斷時的漏極電流。(耗盡)
(4) 極間電容 ：漏源電容CDS約為 0.1～1pF，柵源電容CGS和柵漏極電容CGD約為1～3pF。
(5) 低頻跨導 gm ：表示VGS對iD的控制作用。
(6) 大漏極電流 IDM
(7) 大漏極耗散功率 PDM
(8) 漏源擊穿電壓 V(BR)DS 柵源擊穿電壓 V(BR)GS
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