銀聯(lián)寶科技-溫度對開關(guān)電源有何影響
一般開關(guān)電源芯片IC工作在非常靠近特性參數(shù)限值時，其重要的寄生參數(shù)不能忽略，而且還需要考慮溫度變化因素。因為溫度變化將影響效率，從而影響所需的占空比。
溫度對開關(guān)電源效率的影響也是很難預(yù)期估計的，因此溫度變化對占空比的影響也很難估計。溫度升高使有些損耗升高，而有些損耗降低。然而保守估算中，少應(yīng)考慮溫度升高時對MOSFET管導(dǎo)通壓降的影響。低壓MOSFET（額定值約為30V），當開關(guān)管溫度從室溫到發(fā)熱時，RDS(導(dǎo)通阻抗）一般將會增加30%~50%，故一般將室溫下的導(dǎo)通阻抗乘以1.4便可得到發(fā)熱時的導(dǎo)通阻抗。而通常用于離線式開關(guān)電源的高壓MOSFET中，RDS增加達到80%~100%。所以在求取發(fā)熱時的導(dǎo)通阻抗時，應(yīng)乘以系數(shù)1.8。
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