- 05-07 2025
- PD 20W氮化鎵單電壓應用方案：U8722AH+U7715 深圳銀聯寶科技推出的PD20W氮化鎵單電壓應用方案，主控芯片使用的是氮化鎵快充芯片U8722AH，同步整流芯片U7715，協議338E。輸入規格：180V-264V 50Hz，輸出規格：C口，PD20W：5V3A / 9V2.22A / 12V1.67A。 氮化鎵快充芯片U8722AH特點： 1.集成 700V E-GaN 2.集成高壓啟動功能 3.超低啟動和工作電流，待機功耗 30mW 4.谷底鎖定模式， 最高工作頻率兩檔可調(220kHz，130kHz) 5.集 查看詳情
- 05-06 2025
- 帶恒功率集成高壓E-GaN氮化鎵電源IC U8723AHS 恒功率電源芯片具有穩壓、高效、過載保護等特性，適用于一些功率要求嚴格的應用場景，如充電器、LED驅動器、電動工具等。今天推薦的深圳銀聯寶帶恒功率集成高壓E-GaN氮化鎵電源ICU8723AHS，不僅可以提高電路的穩定性和可靠性，同時也可以提高能源利用效率，使優勢發揮到最大！ 針對寬輸出電壓應用場合，為了滿足VDD的寬電壓應用需求，往往需要添加額外的電路或者輔助繞組，導致系統功耗和電路成本的增加。氮化鎵電源ICU8723AHS集成了Boost供電技術，僅在SW管腳添加一顆貼片電 查看詳情
- 04-29 2025
- SOP-7封裝20W氮化鎵快充芯片U8722SP來咯！ 深圳銀聯寶氮化鎵系列又雙叒叕上“芯”料啦——U8722SP！氮化鎵快充芯片U8722SP采用SOP-7封裝，推薦最大輸出功率20W，集成MOS耐壓700V，典型應用于快速充電器和適配器上，腳位如下： 1 GND P 芯片參考地 2 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 3 FB I 系統反饋輸入管腳 4 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測、驅動能力分檔判定管腳 5 SW P Boost 電路內置 MOS 的漏極 查看詳情
- 04-28 2025
- 氮化鎵快充芯片U8608集成多維度安全防護機制 深圳銀聯寶氮化鎵快充芯片U8608具有多重故障保護機制，通過集成多維度安全防護，防止設備出現過充電、過放電、過電流等問題，在電子設備中構建起全方位的安全屏障，今天具體分析一下！ ■輸入過欠壓保護 (Line OVP/BOP) 氮化鎵快充芯片U8608通過DRAIN管腳對母線電壓進行采樣，當母線電壓值小于Line BOP 保護閾值VBOP (典型值70Vac)時，芯片內部的Line BOP延遲計時使能，計時時間為TBOP_DELAY(典型值 80ms)，計時結束后觸發Lin 查看詳情
- 04-27 2025
- 耐壓700V氮化鎵電源ic U8765散熱性能優越 氮化鎵憑借高頻高效特性，具備了體積小、功率高、發熱低等優勢，但小型化雖好，散熱才是硬道理，選氮化鎵電源ic得看準散熱設計。今天就給小伙伴們推薦一款散熱性能優越、耐壓700V的氮化鎵電源icU8765！ 當氮化鎵電源icU8765結溫超過TSD (典型值150℃)時，芯片停止工作，進入過熱保護。當芯片溫度下降至TRC (典型值 120℃)，芯片重新啟動。U8765封裝類型ESOP-10W，引腳分析如下： 1 HV P 高壓啟動管腳 2 DRAIN P GaN FET 漏極引腳 查看詳情
- 04-25 2025
- 20V單高壓45W氮化鎵電源芯片U8726AHE EMI性能為高頻交直流轉換器的設計難點，為此氮化鎵電源芯片U8726AHE通過DEM管腳集成了驅動電流分檔配置功能。通過配置DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅動電流，進而調節GaN FET的開通速度，系統設計者可以獲得最優的EMI性能和系統效率的平衡。 氮化鎵電源芯片U8726AHE引腳： 1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 2 FB I 系統反饋輸入管腳 3 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測、驅動能力分檔判定管腳 4 VDD P 芯片供電管 查看詳情
- 04-24 2025
- 具有雙LDO供電配置的同步整流ic U7268 同步整流icU7268是一款高性能副邊同步整流控制器，當配合外置MOS使用時，可以替代肖特基整流二極管以提高系統效率。U7268支持High Side和Low Side配置，且內置有VDD高壓供電模塊，無需輔助繞組供電，降低了系統成本。U7268具有快速關斷功能，支持斷續工作模式(DCM)、準諧振工作模式(QR)及連續工作模式(CCM)。U7268內部集成有智能的開通檢測功能，可以有效防止斷續工作模式(DCM)中由于Vds振蕩引起的SR誤開通。 PCB 設計對同步整流icU 查看詳情
- 04-24 2025
- 25W帶恒功率12V單高壓氮化鎵快充芯片U8723AH 芯片內置Boost電路將功率開關器件（如MOSFET）、驅動電路、反饋網絡等集成于單一封裝，省去分立元件布局，顯著降低PCB面積需求。深圳銀聯寶氮化鎵快充芯片U8723AH內置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓的應用場景。U8723AH集成峰值電流抖動功能和驅動電流配置功能，可極大的優化系統EMI性能！ 氮化鎵快充芯片U8723AH特性： ●集成 高壓 E-GaN ●集成高壓啟動功能 ●超低啟動和工作電流，待機功耗 30mW ●谷底鎖定模式， 最高工作頻率兩檔可調(2 查看詳情
- 04-23 2025
- 700V/165mΩ HV高壓啟動頻率可調氮化鎵快充芯片U8766 700V/165mΩ HV高壓啟動頻率可調氮化鎵快充芯片U8766，推薦功率為65W，代表機型有5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A等。 氮化鎵快充芯片U8766集成了高壓啟動功能。在啟動階段，U8766通過芯片HV腳對VDD充電，當VDD電壓達到VVDD_ON(典型值 12V)時，高壓供電關閉。輸出建立后，芯片供電由輔助繞組提供。在啟動過程中，當VDD低于3V時，高壓供電電路對VDD電容的充電電流為IHV1 (典型值 0.5mA)，小電流充電，可以 查看詳情
- 04-22 2025
- 銀聯寶氮化鎵電源芯片U8733L與U8733差異化分析 氮化鎵電源芯片U8733L與U8733同屬U8733X系列，都是外置OTP，自帶降功率（限12V最大輸出），集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實現小于30mW的超低待機功耗。但參數性能略有不同，今天就為各位小伙伴詳細拆解一下兩者不同之處！ ▲U8733L Vds 耐壓650V，Rdson內阻0.8R，ID電流2.5A，推薦功率33W。 ▲U8733 Vds 耐壓700V，Rdson內阻0.47--0.6R，ID電流3.3A，推薦功率33W-45W ▲封裝 查看詳情
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