氮化鎵憑借高頻高效特性，具備了體積小、功率高、發熱低等優勢，但小型化雖好，散熱才是硬道理，選氮化鎵電源ic得看準散熱設計。今天就給小伙伴們推薦一款散熱性能優越、耐壓700V的氮化鎵電源ic U8765！

當氮化鎵電源ic U8765結溫超過TSD (典型值150℃)時，芯片停止工作，進入過熱保護。當芯片溫度下降至TRC (典型值 120℃)，芯片重新啟動。U8765封裝類型ESOP-10W，引腳分析如下：

1 HV P 高壓啟動管腳

2 DRAIN P GaN FET 漏極引腳

3 Source P GaN FET 源極引腳

4 GND P 芯片參考地

5 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳

6 FB I 系統反饋輸入管腳

7 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測

8 VDD P 芯片供電管腳

9 SW P Boost 電路內置 MOS 的漏極管腳

10 NC -

氮化鎵電源ic U8765主要特性：

* 集成高壓 E-GaN

* 集成高壓啟動功能

* 超低啟動和工作電流，待機功耗 <30mW

* 谷底鎖定模式， 最高工作頻率兩檔可調(220kHz，130kHz)

* 集成 EMI 優化技術

* 驅動電流分檔配置

* 集成 Boost 供電電路

* 集成完備的保護功能：VDD 過壓/欠壓保護 (VDD OVP/UVLO)、輸出過壓保護 (OVP)、輸入欠壓保護 (BOP)、片內過熱保護 (OTP)、逐周期電流限制 (OCP)、異常過流保護 (AOCP)、短路保護 (SCP)、過載保護 (OLP)、過流保護 (SOCP)、前沿消隱 (LEB)、CS 管腳開路保護

氮化鎵電源ic U8765能夠有效散熱，提高產品的可靠性和長壽命。U8765的工作頻率最高可達220kHz，可全范圍工作在準諧振模式。芯片集成峰值電流抖動功能和驅動電流配置功能，可極大的優化系統EMI性能。芯片內置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓的應用場景！