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PFC肖特基 PTR20100CT
在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下,電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下,漏電電流較少
在較高的反向電壓下,開(kāi)關(guān)速度更快全國(guó)服務(wù)熱線:13316805165
在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF較低
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在相同的EPI和晶片尺寸下,漏電電流較少
在較高的反向電壓下,開(kāi)關(guān)速度更快