- [公司新聞]外置OTP自帶降功率氮化鎵快充芯片U87322025年04月01日 10:18
- 當設備溫度超過設定閾值時，外置OTP功能會自動觸發，降低設備功率或關閉設備，以防止過熱，這對于保護設備內部組件和延長設備壽命至關重要。在檢測到溫度升高時，設備會自動降低功率輸出，以減少熱量產生，從而防止過熱。這種功能可以與OTP協同工作，提供雙重保護。深圳銀聯寶氮化鎵快充芯片U8732外置OTP自帶降功率，單高壓30W，一起了解下！ 氮化鎵快充芯片U8732特點： 集成 700V E-GaN 集成高壓啟動功能 超低啟動和工作電流，待機功耗 30mW 谷底鎖定模式，最高
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- [公司新聞]65W全壓700V底部無PAD氮化鎵快充芯片U87662025年03月20日 15:32
- 深圳銀聯寶科技推出的氮化鎵快充芯片集成高頻高性能準諧振模式，顯著降低磁性元件體積，同時通過同步整流技術將效率翻番。比如今天介紹的65W全壓700V底部無PAD氮化鎵快充芯片U8766，擁有超低啟動和工作電流，可實現小于30mW的超低待機功耗，勢如破竹！ 氮化鎵快充芯片U8766集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統效率，芯片內置了高精度、高可靠性的驅動電路，驅動電壓為VDRV (典型值 6.2V)。EMI性能為高頻交直流轉換器的
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- [公司新聞]35W PD快充芯片U8724AHS寬幅電壓輸出超穩的2025年02月19日 10:42
- 寬幅電源的輸出電壓范圍一般在85 ~ 265VAC的標準，而普通電源的輸出電壓范圍一般在180V-240V的標準。電源的寬幅越大，輸出電壓隨負載電流變化的程度就越小，輸出電壓就越穩定。35W PD快充芯片U8724AHS內置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓的應用場景。 35W PD快充芯片U8724AHS的工作頻率最高可達220kHz，可全范圍工作在準諧振模式。芯片集成峰值電流抖動功能和驅動電流配置功能，可極大的優化系統EMI性能。芯片集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動
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- [公司新聞]U860X氮化鎵快充芯片系列升級增加U8609料號2025年02月08日 14:43
- U860X氮化鎵快充芯片系列在原有的U8607、U8608基礎上，升級增加U8609料號，同時具備了輸入欠壓及軟入過壓保護功能，有需求的小伙伴趕緊看過來！ 氮化鎵快充芯片U860X是一款集成E-GaN的恒壓恒流PSR反激功率開關管，可為18~65W適配器應用提供全新的解決方案。U860X采用原邊反饋控制，可節省光耦和TL431，簡化電源BOM。它合封第三代半導體GaN FET，最高工作頻率130kHz，有利于降低電源尺寸。U860X集成谷底鎖定技術可以防止頻率抖動產生噪音。
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- [公司新聞]PD快充芯片賽道優質選手——銀聯寶U88202024年12月20日 11:04
- 隨著智能手機與APP應用的飛速發展，能明顯感覺到，續航越來越不夠用了。受限于電池技術短期內難有大突破，另辟蹊徑的快速充電技術不僅逐漸成為了手機的標配，更是在其最佳伴侶“移動電源”上得到了應用。PD快充芯片U8820是一款針對離線式反激變換器的高性能準諧振電流模式PWM轉換芯片。芯片集成有高壓啟動電路，可以獲得快速啟動和超低待機的性能。芯片支持8-40V的VDD供電，方便滿足寬電壓輸出電源的要求！ PD快充芯片U8820封裝類型SOP-7，引腳特征如下：
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- [公司新聞]PD快充芯片U8608凸顯高功率密度優勢2024年12月19日 10:26
- 氮化鎵芯片具備令人矚目的高功率密度特性，這意味著它可以在相對較小的尺寸上輸出更大的功率。在當下眾多需要小型化且高功率輸出的場景中，其價值尤為凸顯。PD快充芯片U8608是一款集成E-GaN的恒壓恒流PSR反激功率開關管，可為18~65W適配器應用提供全新的解決方案。 PD快充芯片U8608采用原邊反饋控制，可節省光耦和TL431，簡化電源BOM。它合封第三代半導體GaN FET，最高工作頻率130kHz，有利于降低電源尺寸。集成谷底鎖定技術可以防止頻率抖動產生噪音。它采用CS
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- [公司新聞]集成高壓啟動電路氮化鎵快充芯片U8722AH2024年12月03日 14:07
- 采用氮化鎵技術的充電器，在相同體積和輸出功率下，溫度也會比硅基更低。氮化鎵技術可使功率系統設計者達到更高的利用效率，節約了成本、節省了空間。這些優異的材料特性，也是氮化鎵在充電器市場如此火爆的原因。深圳銀聯寶科技快充芯片U8722AH，是20W氮化鎵快充芯片首選方案！ 20W快充芯片U8722AH是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉換功率開關。芯片集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實現小于30mW 的超低待機功耗。 20W快充芯片U8722A
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- [公司新聞]25W氮化鎵快充芯片U8723AH合理平衡工作頻率問題2024年11月21日 14:32
- 提升芯片的工作頻率，無疑能夠加快設備的處理速度，提升用戶體驗，但高頻率意味著更高的功耗和更大的發熱量，還可能會對設備的穩定性和壽命造成不良影響。因此，在設計芯片時，需要在提升工作頻率與降低功耗和發熱量之間找到一個平衡點。深圳銀聯寶科技的25W氮化鎵快充芯片U8723AH，推薦的RSEL電阻值在1kΩ，最高頻率限制220kHz；在2kΩ時，最高頻率限制130kHz，一起詳細了解下。 氮化鎵快充芯片U8723AH復用CS管腳以設定系統最高工作頻率，CS管腳連接詳見規格書。芯片啟動
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- [公司新聞]PD快充芯片U8766滿足寬輸出電壓應用場合需求2024年11月15日 15:03
- 具有寬輸入電壓和輸出電壓范圍的單電池充電器集成電路IC使得能夠在具有不同輸入適配器和電池配置的各種應用中使用相同的充電器，從而幫助縮短開發時間，還能獲得更優化的充電體驗。PD快充芯片U8766最高支持220kHz開關頻率，適用于高功率密度的交直流轉換器設計。 針對寬輸出電壓應用場合，為了滿足VDD的寬電壓應用需求，往往需要添加額外的電路或者輔助繞組，導致系統功耗和電路成本的增加。PD快充芯片U8766集成了Boost供電技術，僅在SW管腳添加一顆貼片電感即可，在輸出電壓較低時
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- [公司新聞]PD快充芯片U8722BAS可減少非必要能效損耗2024年10月31日 10:58
- GaN技術的零反向恢復特性(因為不存在體二極管)導致二極管反向偏置電流沒有穩定時間，從而降低了死區損失，提高了效率。GaN的開關頻率更高，電流紋波更低，這樣就可以減小無源器件的尺寸，從而實現更平滑的電機驅動GaN設計。PD快充芯片U8722BAS是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉換功率開關。芯片集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實現小于30mW的超低待機功耗。 ■集成E-GaN和驅動電流分檔功能 PD快充芯片U8722BAS集成高壓E-Mo
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- [公司新聞]小于30mW超低待機功耗氮化鎵快充芯片U87652024年10月29日 14:42
- 相信大家都清楚，輕載或空載狀態下，開關損耗在轉換效率中占主導地位。所以為了降低待機功耗，大部分電源芯片都采取載輕降頻的控制方式。而芯片的控制方式可以說是決定待機功耗最重要的一環。氮化鎵快充芯片U8765是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉換功率開關。芯片集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實現小于30mW的超低待機功耗。 氮化鎵快充芯片U8765主要特性： 集成高壓 E-GaN 集成高壓啟動功能 超低啟動和工作電流，待機功耗 30mW 谷底鎖
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- [公司新聞]20W氮化鎵快充芯片首選方案——U8722AH2024年10月11日 14:47
- 采用氮化鎵技術的充電器，在相同體積和輸出功率下，溫度也會比硅基更低。氮化鎵技術可使功率系統設計者達到更高的利用效率，節約了成本、節省了空間。這些優異的材料特性，也是氮化鎵在充電器市場如此火爆的原因。深圳銀聯寶科技快充芯片U8722AH，是20W氮化鎵快充芯片首選方案！ 20W快充芯片U8722AH是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉換功率開關。芯片集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實現小于30mW 的超低待機功耗。 20W快充芯片U8722A
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- [公司新聞]PD快充芯片U8724AH集成實現更高效的電源系統管理2024年09月26日 10:48
- 氮化鎵 (GaN) 是電力電子行業的熱門話題。在許多應用中，GaN能夠提高功率密度和效率，因此它取代了傳統的硅金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET)。深圳銀聯寶科技新推出的集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式ACDC功率開關PD快充芯片U8724AH，內置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓快速充電器、適配器的應用場景！ PD快充芯片U8724AH是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉換功率開關。芯片采用準諧振控制方式，最高支持220kHz開關頻率，適
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- [公司新聞]30W集成高壓E-GaN快充芯片U8722CAS2024年09月18日 11:24
- 有了氮化鎵等新型材料的加持，近兩年很多品牌都上線了各種氮化鎵快充充電器。氮化鎵充電器不但可以提高設備的充電效率，而且在體積、散熱等方面也有十分不錯的表現，加上技術的不斷完善和升級，氮化鎵充電器價格也不斷下探。30W氮化鎵快充芯片U8722CAS成本低、質量好，可以幫你緩解充電器成本焦慮。 30W氮化鎵快充芯片U8722CAS集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統效率，芯片內置了高精度、高可靠性的驅動電路，驅動電壓為VDRV(典型值
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- [公司新聞]攜手快充芯片U8723AH一起進入GaN賽道2024年08月16日 15:09
- 智能快充技術的飛速發展和市場的爆火背后其實都少不了GaN的支撐，GaN等第三代功率半導體技術的日益成熟已逐漸成為行業內的技術發展重點。受其影響，目前市場上的智能快充大都在往小型化、大功率化發展，用戶的需求也正往多口化方向發展。深圳銀聯寶科技接連推出多款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式ACDC功率開關快充芯片，市場反饋頗佳！ 快充芯片U8723AH是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉換功率開關。芯片集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實現小于
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- [公司新聞]快充芯片U8722XAS集成輕載SR應力優化功能2024年08月14日 14:49
- 快充芯片U8722XAS產品型號分別為U8722BAS、U8722CAS、U8722DAS，推薦最大輸出功率對應為25W、30W、35W，是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉換功率開關。芯片集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實現小于30mW的超低待機功耗。訂購信息如下： 快充芯片U8722XAS主要特性： 1.集成 高壓 E-GaN 2.集成高壓啟動功能 3.超低啟動和工作電流，待機功耗 30mW 4.谷底鎖定模式， 最高工作頻率兩檔可調(
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- [公司新聞]氮化鎵快充芯片U8733高壓啟動機制確保運行穩定2024年08月06日 10:46
- 在傳統電力電子設備中，低壓啟動常常導致設備性能不穩定，甚至損壞器件。而集成700V的氮化鎵快充芯片U8733，通過其高效的高壓啟動機制，輕松解決了這一難題。這種設計不僅能確保設備在高電壓環境下穩定運行，還能有效提高系統的整體效率，為用戶帶來更加可靠的使用體驗。 氮化鎵快充芯片U8733主要特征： 集成 700V E-GaN 集成高壓啟動功能 超低啟動和工作電流，待機功耗 30mW 谷底鎖定模式，最高工作頻率兩檔可調(220kHz，130kHz) 集成 EMI 優化技術 驅動電
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- [公司新聞]恒功率U872XAH系列氮化鎵快充芯片2024年07月25日 14:32
- 恒功率U872XAH系列氮化鎵快充芯片包含了U8722AH、U8723AH、U8724AH三種型號，編帶盤裝，5000顆/卷，是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉換功率開關。芯片采用準諧振控制方式，最高支持220kHz開關頻率，適用于高功率密度的交直流轉換器設計。 氮化鎵快充芯片U872XAH系列主要特性： 集成高壓 E-GaN 集成高壓啟動功能 超低啟動和工作電流，待機功耗 30mW 谷底鎖定模式， 最高工作頻率兩檔可調(220kHz，130kHz) 集成
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- [公司新聞]來自氮化鎵快充芯片U8722+同步整流芯片U7612的默契組合2024年07月23日 15:13
- 深圳銀聯寶科技氮化鎵快充芯片U8722采用準諧振控制方式，最高支持220kHz開關頻率，適用于高功率密度的交直流轉換器設計，不僅可實現過溫保護、短路保護等保護功能，而且大大提高電源轉換效率，有效保障電源的安全性和可靠性；同時采用銀聯寶同步整流芯片U7612，默契搭配，成就經典電源方案！ 氮化鎵快充芯片U8722是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉換功率開關。芯片集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實現小于30mW的超低待機功耗。U8722可全范
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- [公司新聞]氮化鎵快充芯片U8722AH大幅提升充電性能2024年07月15日 11:01
- 目前市場已推出多種快充技術方案。其中PD方案的出現，助力推動了快充產品的普及。在快速充電器中，變壓器為最重要元件，而氮化鎵則是不容忽視的重要材料。氮化鎵產品能耗低，充電效率高，體積小、輕便等優勢在快充電源市場的比重越來越高，比如深圳銀聯寶科技最新推出的氮化鎵快充芯片U8722AH，就在電源應用市場上有著不錯的口碑！ 氮化鎵快充芯片U8722AH是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉換功率開關。芯片集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實現小于30m
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