氮化鎵 (GaN) 是電力電子行業的熱門話題。在許多應用中，GaN能夠提高功率密度和效率，因此它取代了傳統的硅金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET)。深圳銀聯寶科技新推出的集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式ACDC功率開關PD快充芯片U8724AH，內置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓快速充電器、適配器的應用場景！

PD快充芯片U8724AH是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉換功率開關。芯片采用準諧振控制方式，最高支持220kHz開關頻率，適用于高功率密度的交直流轉換器設計。

PD快充芯片U8724AH集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障 GaN FET工作的可靠性和高系統效率，芯片內置了高精度、高可靠性的驅動電路，驅動電壓為VDRV (典型值 6.4V)。EMI性能為高頻交直流轉換器的設計難點，為此U8724AH通過DEM管腳集成了驅動電流分檔配置功能。通過配置DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅動電流，進而調節GaN FET的開通速度，系統設計者可以獲得最優的EMI性能和系統效率的平衡。具體分壓電阻值可參照參數表。

PD快充芯片U8724AH系列還集成輕載SR應力優化功能，在驅動電流配置為第一、第二、第三檔位時，當芯片工作于輕載模式時，將原邊開通速度減半，減小空載時SR的Vds應力過沖。

PD快充芯片U8724AH采用峰值電流控制模式，可以自適應的工作在QR和降頻工作模式，從而實現全負載功率范圍內的效率優化。在滿載和重載工況下，系統工作在QR工作模式，可以大幅降低系統的開關損耗。芯片根據FB電壓值調節谷底個數，同時為了避免系統在臨界負載處的FB電壓波動導致谷底數跳變，產生噪音，U8724AH采用了谷底鎖定工作模式在負載一定的情況下，導通谷底數穩定，系統無噪音。

PD快充芯片U8724AH通過進一步降低開關頻率，減小開關損耗，優化系統輕載效率，可以簡化許多挑戰，從而使您可以專注于更廣泛的電源系統管理！