- [公司新聞]36W E-GaN快充電源ic U8609前沿消隱復合保護體系2025年06月23日 11:01
- 前沿消隱是開關電源系統中用于消除功率器件導通瞬間脈沖尖峰引發誤觸發動作的保護技術。該技術通過在開關管導通后設定特定消隱時間窗口，在此期間屏蔽電流檢測信號，避免寄生電容充放電或變壓器漏感導致的尖峰電壓誤觸發過流保護機制。現代電源芯片普遍將LEB功能與逐周期限流、退飽和保護等模塊集成，形成復合保護體系。一起來看看36W E-GaN快充電源icU8609的前沿消隱是如何發揮作用的！ 由于原邊功率開關寄生電容、變壓器寄生電容和副邊整流管反向恢復的原因，功率開關開通瞬間會在采樣電阻上
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- [公司新聞]同步整流芯片U7610X搭配不同主控電源管理芯片方案推介！2025年06月20日 14:39
- 同步整流技術是一種提高電源效率的技術。同步整流技術采用導通電阻極低的功率MOSFET管來代替二極管，以降低整流過程中的能量損耗。深圳銀聯寶科技推出了多套同步整流芯片U7610X系列快充電源方案，降耗提效，效果顯著！ 同步整流芯片U7610B+U8621，推薦功率22.5W！ 電源管理芯片U8621是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM電源管理芯片,內置1.9Ω/630V的超結硅功率MOS。U8621具有全負載高效率、低空載損耗、低EMI干擾和高EMS抗干擾、極少外圍應用
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- [公司新聞]PD快充芯片U8766穩定的電壓和頻率優化電源設備2025年06月18日 10:11
- 芯片工作頻率指芯片內部時鐘信號的振蕩速率，是芯片性能的重要基礎。晶體管導通電阻越小、切換速度越快，信號傳輸效率越高。PD快充芯片U8766的工作頻率最高可達220kHz，可全范圍工作在準諧振模式。芯片集成峰值電流抖動功能和驅動電流配置功能，可極大的優化系統EMI性能。U8766內置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓的應用場景。 針對寬輸出電壓應用場合，為了滿足VDD的寬電壓應用需求，往往需要添加額外的電路或者輔助繞組，導致系統功耗和電路成本的增加。PD快充芯片U876
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- [公司新聞]PD快充A+C口：30W高效率氮化鎵電源方案U8722DE+U7110W2025年06月17日 14:40
- A+C口兼容雙接口電路，可滿足多設備充電需求，還可以兼容傳統USB-A設備，接口互補，場景覆蓋廣，依然是當前充電市場不可忽略的中堅力量。深圳銀聯寶科技推出的PD快充A+C口：30W高效率氮化鎵電源方案U8722DE+U7110W，最大程度簡化設計方案，易上手，低成本！ 氮化鎵電源ICU8722DE采用峰值電流控制模式，可以自適應的工作在QR和降頻工作模式，從而實現全負載功率范圍內的效率優化。在滿載和重載工況下，系統工作在QR工作模式，可以大幅降低系統的開關損耗。芯片根據FB電
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- [公司新聞]氮化鎵快充芯片U8722SP調整封裝形式為SOP-8輸出20W2025年06月16日 10:51
- 氮化鎵快充芯片U8722SP封裝形式升級調整為SOP-8，集成完備的保護功能：VDD過壓/欠壓保護(VDD OVP/UVLO)、輸出過壓保護(OVP)、輸出欠壓保護(DEM UVP)、輸入過壓保護(LOVP)、輸入欠壓保護(BOP)、片內過熱保護(OTP)、逐周期電流限制(OCP)、異常過流保護(AOCP)、短路保護(SCP)、過載保護(OLP)、前沿消隱(LEB)、CS管腳開路保護等。 氮化鎵快充芯片U8722SP管腳說明： 1 GND P 芯片參考地 2 CS I/O 電
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- [公司新聞]12v2a快充電源ic U8607完善保護增強防御機制2025年06月12日 14:41
- 電源ic的保護功能，其核心意義在于構建多層次安全防線，確保硬件安全、數據完整及系統可靠性，通過實時監測電流電壓，異常時切斷電路，減少開關損耗，降低故障率并提升能效。今天介紹的是深圳銀聯寶科技12v2a快充電源icU8607多種保護功能！ ■ 輸入過欠壓保護 (Line OVP/BOP) 快充電源icU8607通過DRAIN管腳對母線電壓進行采樣，當母線電壓值小于Line BOP保護閾值VBOP(典型值70Vac)時，芯片內部的Line BOP延遲計時使能，計時時間為TBOP
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- [公司新聞]銀聯寶快充電源ic U8731滿足快速充電硬核需求2025年06月11日 14:15
- 作為蘋果全新打造的iOS操作系統，視覺效果確實令人耳目一新，但新界面所帶來的耗電量嚴重、續航時間縮短、機身發熱發燙等問題，讓體驗感大打折扣。無論系統多么炫酷，對于手機而言，電量是血液，手機充電器則是供血站。還好有深圳銀聯寶科技帶來的，集成GaN FET、帶恒功率功能的高性能快充電源icU8731，可以讓充電效率翻倍，續航升級，一起看看吧！ E-GaN快充電源icU8731特點： ●集成 700V E-GaN ●集成高壓啟動功能 ●超低啟動和工作電流，待機功耗 30mW ●谷
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- [公司新聞]低靜態電流快充電源芯片U8621功耗低、待機長2025年06月06日 14:57
- 靜態電流是指芯片在不進行任何操作時的電流消耗，如果靜態電流低，說明芯片在待機狀態下消耗的電能非常少。這種特性使得芯片特別適用于需要長時間運行且耗電量要求較低的場合，如便攜式充電器和需要長時間待機的適配器等設備。快充電源芯片U8621的啟動電流低至10uA，啟動電路的電阻值可以高達4M，這樣使電源系統擁有更低的損耗；芯片靜態電流低至500uA，使得電源系統設計者更加輕松應對能源之星6或者能效6級的能效標準。 快充電源芯片U8621是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM
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- [公司新聞]20V單高壓帶恒功率氮化鎵PD快充芯片U8725AHE2025年06月05日 15:07
- 充電器和適配器等快充設備，需匹配高功率密度與寬電壓輸出范圍的快充芯片。深圳銀聯寶科技推出的20V單高壓帶恒功率氮化鎵PD快充芯片U8725AHE，集成高壓啟動、功率器件和保護電路，省去外部Boost/Buck電路及分立元件，縮小PCB面積；內置高壓E-GaN和Boost供電電路，支持寬電壓輸出，切莫錯過！ PD快充芯片U8725AHE主要特性： 1.集成 高壓 E-GaN 2.集成高壓啟動功能 3.超低啟動和工作電流，待機功耗 30mW 4.谷底鎖定模式， 最高工作頻率兩檔可
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- [公司新聞]集成MOS耐壓700V低啟動低功耗的PD快充芯片U8722SP2025年05月30日 14:16
- 耐壓值定義了芯片安全工作電壓上限，若輸入電壓超過該值（如動態波動或負載突變），可能引發擊穿或永久損壞，直接影響器件可靠性、性能表現及系統適配性。高耐壓芯片需更大厚度或更高電阻率的半導體材料，工藝制程要求更高。深圳銀聯寶科技的PD快充芯片U8722SP是一款集成 E-GaN 的高頻高性能準諧振模式交直流轉換功率開關，集成MOS耐壓700V，值得一試！ PD快充芯片U8722SP集成了高壓啟動功能。如圖1所示，在啟動階段，U8722SP通過芯片DRAIN腳對VDD充電，當VDD電
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- [公司新聞]12v3a原邊反饋快充電源ic U8609節省光耦和TL4312025年05月29日 14:48
- GaN FET支持MHz級開關頻率，顯著高于傳統硅基器件，通過減小無源元件體積實現系統小型化，使開關損耗降低20%-30%。深圳銀聯寶快充電源icU8609合封第三代半導體GaN FET，最高工作頻率130kHz，采用原邊反饋控制，可節省光耦和TL431，簡化電源BOM，有利于降低電源尺寸！ 快充電源icU8609是一款集成E-GaN的恒壓恒流PSR反激功率開關管，可為18~65W適配器應用提供全新的解決方案。U8609集成谷底鎖定技術可以防止頻率抖動產生噪音。它采用CS
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- [公司新聞]ASOP7-T4封裝E-GaN快充電源芯片U8724AHS2025年05月29日 11:25
- 芯片的腳位是芯片與外部電路進行連接的橋梁。通過引腳，芯片可以與電路板上的其他組件進行連接，構成完整的電路。引腳用于為芯片提供電源和接地，還可以用于控制和指示芯片的工作狀態。今天，就請跟著銀聯寶小編的視角，一起看看關于快充電源芯片U8724AHS引腳的事！ 快充電源芯片U8724AHS封裝形式ASOP7-T4，引腳特征如下： 1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 2 FB I 系統反饋輸入管腳 3 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測、驅動能力分檔判定管腳
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- [公司新聞]22.5W PD快充電源芯片應用方案之U8621+U7610B2025年05月28日 14:28
- 受限于設備本身的體積和當下電池技術的瓶頸，電池容量無法顯著突破，快速“補電”成為了眼下解決電量焦慮的最切實可行的解決辦法。深圳銀聯寶今天推薦的是22.5W快充電源芯片應用方案之——U8621+U7610B！ 快充電源芯片U8621是一款峰值電流控制方式的PWM電源管理芯片，適用于離線型的反激拓撲開關變換器。U8621內置合封一顆1.9Ω/630V的高壓MOS。芯片設計有完善的多種保護功能和自適應選擇工作模式，使得適用U8621
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- [公司新聞]耐壓650V氮化鎵快充芯片U8733L優化能源利用效率2025年05月27日 11:34
- 恒功率控制方式通過精確的控制策略和先進的電子技術，實現了在各種工況下輸出功率的恒定。其基本原理是通過調節系統的輸入或輸出參數（如電壓、電流等），使得系統在負載變化時能夠維持輸出功率不變。銀聯寶氮化鎵快充芯片U8733L集成恒功率控制與主動降功率控制功能，在恒功率區間，通過控制輸出電流隨輸出電壓變化，實現恒功率功能。 氮化鎵快充芯片U8733L特征： 集成 700V E-GaN 集成高壓啟動功能 超低啟動和工作電流，待機功耗 30mW 谷底鎖定模式，最 高 工 作 頻 率 兩
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- [公司新聞]氮化鎵快充電源ic U8765全負載功率范圍內效率優化2025年05月26日 11:41
- QR模式一般工作在變頻模式下，根據負載大小改變變換器的頻率。當負載變輕時，變換器的頻率會增加，以適應輕載條件下的高效運行。QR模式通過檢測原邊電流和電壓的變化，實現開關管的最佳開通時機，從而減少開關損耗。氮化鎵快充電源icU8765采用峰值電流控制模式，可以自適應的工作在QR和降頻工作模式，從而實現全負載功率范圍內的效率優化！ 在滿載和重載工況下，系統工作在QR工作模式，可以大幅降低系統的開關損耗。氮化鎵快充電源icU8765根據FB電壓值調節谷底個數，同時為了避免系統在臨界
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- [公司新聞]氮化鎵GaN快充芯片U8732輕松應對充電問題2025年05月21日 14:36
- 氮化鎵充電器與普通充電器在充電效率方面對比，性能遙遙領先。它支持多種快充協議，如PD、QC等，能夠智能識別設備所需的充電功率，實現快速充電。無論是蘋果手機、安卓手機，還是筆記本電腦、平板電腦，氮化鎵充電器都能輕松應對，一充搞定。充電器自然離不開芯片的支持，今天主推的就是來自深圳銀聯寶科技的氮化鎵GaN快充芯片U8732！ 氮化鎵GaN快充芯片U8732特點： 1.集成 700V E-GaN 2.集成高壓啟動功能 3.超低啟動和工作電流，待機功耗 30mW 4.谷底鎖定模式，
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- [公司新聞]氮化鎵PD快充ic U8608輸入過欠壓保護電路安全運行2025年05月19日 11:36
- 過壓保護和欠壓保護是維護芯片電路安全運行的關鍵功能。有些芯片會提供一個欠壓保護引腳，當欠壓保護被觸發時，該引腳會產生一個信號。通過檢測該引腳的狀態，可以判斷芯片是否處于欠壓保護狀態。深圳銀聯寶氮化鎵PD快充icU8608輸入過欠壓保護 (Line OVP/BOP)，先來看看它的引腳。 PD快充icU8608引腳特征： 1 NTC I/O 外置過溫檢測管腳 2 COMP I/O 運放輸出，在該 pin 腳和 GND 之間連接阻容網絡用于調節環路。 3 FB I/O 輸出反饋、
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- [公司新聞]氮化鎵PD快充芯片U8722DAS可減少高頻噪聲和應力沖擊2025年05月16日 11:48
- 氮化鎵PD快充芯片U8722DAS集成輕載SR應力優化功能，在輕載模式下，芯片將原邊開通速度減半（如配置為特定驅動電流檔位時），減緩開關動作的瞬態變化，從而減小次級側SR器件的電壓尖峰，通過分壓電阻設置驅動電流檔位（三檔可選），平衡EMI性能與效率。低驅動電流檔位可降低SR開關速度，減少高頻噪聲和應力沖擊。 氮化鎵PD快充芯片U8722DAS特征： ▲集成 高壓 E-GaN ▲集成高壓啟動功能 ▲超低啟動和工作電流，待機功耗 30mW ▲谷底鎖定模式， 最高工作頻率兩檔可調(
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- [公司新聞]45W集成高壓E-GaN快充電源方案U8726AHE+U72692025年05月15日 10:56
- 氮化鎵電源電路由于減少了元件數量和功率轉換器占用的空間而更具吸引力。深圳銀聯寶科技作為E-GaN快充電源方案制造商，大量投入工程研發以應對各類技術挑戰，為市場提供了各種功率級和多種功能的集成解決方案，今天推薦的是銀聯寶45W集成高壓E-GaN快充電源方案U8726AHE+U7269！ 快充電源芯片U8726AHE集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統效率，芯片內置了高精度、高可靠性的驅動電路，驅動電壓為VDRV (典型值6.4V)。E
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- [公司新聞]30W E-GaN高頻高性能快充電源ic U87312025年05月14日 11:14
- GaN器件采用二維電子氣結構，能夠提供更高的電子遷移率和導電性能，因此適用于高頻應用，可以實現更高效的功率轉換。深圳銀聯寶科技研發生產的快充電源icU8731，集成700VE-GaN，高頻高性能，推薦工作頻率130KHz/220KHz，推薦最大輸出功率30W，介紹給小伙伴們！ 快充電源icU8731采用的是HSOP-7封裝，管腳說明如下： 1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 2 FB I 系統反饋輸入管腳 3 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測、驅動能
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