氮化鎵PD快充芯片U8722DAS可減少高頻噪聲和應力沖擊
氮化鎵PD快充芯片U8722DAS集成輕載SR應力優化功能，在輕載模式下，芯片將原邊開通速度減半（如配置為特定驅動電流檔位時），減緩開關動作的瞬態變化，從而減小次級側SR器件的電壓尖峰，通過分壓電阻設置驅動電流檔位（三檔可選），平衡EMI性能與效率。低驅動電流檔位可降低SR開關速度，減少高頻噪聲和應力沖擊。
氮化鎵PD快充芯片U8722DAS特征：
▲ 集成 高壓 E-GaN
▲ 集成高壓啟動功能
▲ 超低啟動和工作電流，待機功耗 <30mW
▲ 谷底鎖定模式， 最高工作頻率兩檔可調(220kHz，130kHz)
▲ 集成 EMI 優化技術
▲ 驅動電流分檔配置
▲ 集成 Boost 供電電路
▲ 集成完備的保護功能：
VDD 過壓/欠壓保護 (VDD OVP/UVLO)
輸出過壓保護 (OVP)
輸入欠壓保護 (BOP)
片內過熱保護 (OTP)
逐周期電流限制 (OCP)
異常過流保護 (AOCP)
短路保護 (SCP)
過載保護 (OLP)
過流保護（SOCP）
前沿消隱 (LEB)
CS 管腳開路保護
▲ 封裝類型 ASOP7-T4
氮化鎵PD快充芯片U8722DAS還集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統效率，芯片內置了高精度、高可靠性的驅動電路，驅動電壓為VDRV(典型值 6.2V)。EMI性能為高頻交直流轉換器的設計難點，為此U8722DAS通過DEM管腳集成了驅動電流分檔配置功能。如圖所示，通過配置DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅動電流，進而調節GaN FET的開通速度，系統設計者可以獲得最優的EMI性能和系統效率的平衡。具體分壓電阻值可參照參數表。
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