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: PFC肖特基 PFR2060CTF

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開(kāi)關(guān)速度更快
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: PFC肖特基 PTR20100CTB

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開(kāi)關(guān)速度更快
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: PFC肖特基 PTR20L100CT

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開(kāi)關(guān)速度更快
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: PFC肖特基 PT20L100D

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開(kāi)關(guān)速度更快
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: PFC肖特基 PFR20V45CT

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開(kāi)關(guān)速度更快
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: PFC肖特基 PFS5L200

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開(kāi)關(guān)速度更快
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: PFC肖特基 PFS5L150

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
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: PFC肖特基 PTR10100CTB

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
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: PFC肖特基 PFS5L40

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開(kāi)關(guān)速度更快
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[公司新聞]同步整流芯片U7116W/U7110W快充電源方案參考2025年06月24日 14:57: 同步整流芯片U711XW系列（U7116W/U7110W）快充電源方案參考： 1.U7116W+U8722DE，可做PD30W快充電源方案；+U8722DH，可做非標(biāo)PD30W方案；+U8722EE，可做到45W； 2.同步整流芯片U7110W+U8722DE，可做PD30W-36W快充電源方案；+U8722EE，可做50W-60W。同步整流芯片U7116W/U7110W是一款高頻率、高性能、CCM同步整流開(kāi)關(guān)，可以在GaN系統(tǒng)中替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。U7; 閱讀（6）標(biāo)簽：

[公司新聞]25W氮化鎵電源芯片方案U8723AH+U7612B輸出可選5V、9V、12V2025年06月13日 10:44: 同一套電源芯片方案，可直接應(yīng)用于不同的電壓輸出上，這不僅有效節(jié)省成本，更是大大縮短了開(kāi)發(fā)時(shí)間，使項(xiàng)目收益最大化。深圳銀聯(lián)寶科技最新推出的25W氮化鎵電源芯片方案U8723AH+U7612B，輸出可選5V、9V、12V，注重空間布局和兼容性問(wèn)題，通過(guò)了認(rèn)證測(cè)試，低耗高效，值得推薦！同步整流芯片U7612B是一款高頻率、高性能、CCM同步整流開(kāi)關(guān)，可以在GaN系統(tǒng)中替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。在VDD電壓上升到VDD開(kāi)啟電壓VDD_ON (典型值4.5V)之前，芯片處于; 閱讀（4）標(biāo)簽：

[公司新聞]同步整流芯片U771XC系列型號(hào)包含：U7710SMC、U7710C、U7711C2025年06月10日 10:33: 典型應(yīng)用在反激變換器、充電器領(lǐng)域的高性能同步整流芯片U771XC系列，包含了U7710SMC、U7710C、U7711C這三個(gè)型號(hào)，主要差異表現(xiàn)在內(nèi)部MOSFET導(dǎo)通阻抗不同，分別為U7710SMC-25m?、U7710C-19m?、U7711C-15m?，主要性能一起了解下！ ■產(chǎn)品描述同步整流芯片U771XC是一款用于替代反激變換器中副邊肖特基二極管的低成本、高性能同步整流功率開(kāi)關(guān)，內(nèi)置超低導(dǎo)通阻抗功率MOSFET以提升系統(tǒng)效率。U771XC支持Low Side配置，; 閱讀（5）標(biāo)簽：

[公司新聞]同步整流芯片U7106在氮化鎵電源方案U8766中的應(yīng)用2025年05月23日 14:22: 氮化鎵器件開(kāi)關(guān)頻率升級(jí)，同步整流芯片需具備高速響應(yīng)能力，確保高頻工況下精準(zhǔn)控制同步整流管的開(kāi)通與關(guān)斷時(shí)。同步整流芯片U7106應(yīng)用在氮化鎵電源芯片U8766中可顯著減少功率損耗，提升轉(zhuǎn)換效率！同步整流芯片U7106是一款高頻率、高性能、CCM同步整流開(kāi)關(guān)，可以在GaN系統(tǒng)中替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。U7106內(nèi)置有VDD高壓供電模塊，無(wú)需輔助繞組供電可穩(wěn)定工作，系統(tǒng)上支持High Side和Low Side配置，兼顧了系統(tǒng)性能和成本。同步整流芯片U7106特性; 閱讀（6）標(biāo)簽：

[公司新聞]30~65W快充應(yīng)用CCM同步整流芯片U71062025年05月08日 09:31: 同步整流芯片U7106采用PDFN5*6封裝，是一款高頻率、高性能、CCM 同步整流開(kāi)關(guān)，典型應(yīng)用于30~65W快充，無(wú)需輔助繞組供電可穩(wěn)定工作，可以在GaN系統(tǒng)中替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。同步整流芯片U7106電路設(shè)計(jì)參考如下： 1. 副邊主功率回路 Loop1 的面積盡可能小。 2. VDD 電容推薦使用 1μF 的貼片陶瓷電容，盡量緊靠 IC，Loop2的面積盡可能小。 3. HV 到Drain建議串聯(lián)30~200Ω的電阻，推薦典型值100Ω。HV連接到D; 閱讀（9）標(biāo)簽：

[公司新聞]具有雙LDO供電配置的同步整流ic U72682025年04月24日 14:29: 同步整流icU7268是一款高性能副邊同步整流控制器，當(dāng)配合外置MOS使用時(shí)，可以替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。U7268支持High Side和Low Side配置，且內(nèi)置有VDD高壓供電模塊，無(wú)需輔助繞組供電，降低了系統(tǒng)成本。U7268具有快速關(guān)斷功能，支持?jǐn)嗬m(xù)工作模式(DCM)、準(zhǔn)諧振工作模式(QR)及連續(xù)工作模式(CCM)。U7268內(nèi)部集成有智能的開(kāi)通檢測(cè)功能，可以有效防止斷續(xù)工作模式(DCM)中由于Vds振蕩引起的SR誤開(kāi)通。 PCB 設(shè)計(jì)對(duì)同步整流icU; 閱讀（8）標(biāo)簽：

[公司新聞]PD快充寬電壓應(yīng)用同步整流芯片U7610B2025年03月19日 10:45: 同步整流芯片在PD快充領(lǐng)域的應(yīng)用主要體現(xiàn)在提升效率、降低損耗以及適配小型化設(shè)計(jì)等方面。深圳銀聯(lián)寶科技同步整流芯片U7610B采用低導(dǎo)阻MOSFET替代傳統(tǒng)肖特基二極管，顯著降低導(dǎo)通損耗，高集成度設(shè)計(jì)減少外圍元件需求，簡(jiǎn)化了電路布局！在VDD電壓上升到VDD開(kāi)啟電壓VDD_ON (典型值4.5V)之前，同步整流芯片U7610B處于關(guān)機(jī)狀態(tài)。內(nèi)部Gate智能鉗位電路可以保證內(nèi)置MOSFET不會(huì)發(fā)生高dv/dt導(dǎo)致的誤開(kāi)通。當(dāng)VDD電壓達(dá)到VDD_ON之后，芯片啟動(dòng)，內(nèi)部控制; 閱讀（20）標(biāo)簽：

[公司新聞]同步整流芯片U7612可搭配不同快充應(yīng)用主控2025年02月17日 14:48: 同步整流芯片與主控配合，使整流元件與主開(kāi)關(guān)管同步工作，避免了二極管反向恢復(fù)時(shí)間產(chǎn)生的電流諧波，能有效減少電磁干擾，使產(chǎn)品更易通過(guò)電磁兼容性測(cè)試。同步整流芯片U7612是一款帶快速關(guān)斷功能的高性能副邊同步整流功率開(kāi)關(guān)，可以替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。同步整流芯片U7612內(nèi)置有VDD高壓供電模塊，無(wú)需輔助繞組供電可穩(wěn)定工作，系統(tǒng)上支持High Side和Low Side配置，兼顧了系統(tǒng)性能和成本。主要特征有： ●內(nèi)置 60V MOSFET ●支持 DCM、QR 和; 閱讀（12）標(biāo)簽：

[公司新聞]銀聯(lián)寶同步整流芯片U7715精準(zhǔn)控制、高效轉(zhuǎn)換2024年12月23日 14:30: 同步整流芯片可以在不同的充電階段，精準(zhǔn)地控制電流和電壓，使得充電過(guò)程更加安全、快速。例如，當(dāng)手機(jī)電量較低時(shí)，同步整流芯片會(huì)調(diào)節(jié)充電器輸出較大的電流，以快速提升電量；而當(dāng)手機(jī)電量接近充滿時(shí)，它又會(huì)自動(dòng)減小電流，避免過(guò)充對(duì)電池造成損害。像蘋果、華為、小米等知名品牌的手機(jī)充電器中，都廣泛應(yīng)用了同步整流芯片，這也是這些充電器能夠?qū)崿F(xiàn)快速充電的重要原因之一。深圳銀聯(lián)寶同步整流芯片U7715是一款帶快速關(guān)斷功能的高性能副邊同步整流功率開(kāi)關(guān)，可以替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。U77; 閱讀（13）標(biāo)簽：

[公司新聞]集成高壓供電電路快充同步整流ic U77152024年10月18日 14:42: 集成度的提高和微電子制造技術(shù)的進(jìn)步使得同步整流ic在保持甚至提升性能的同時(shí)，體積也在不斷縮小，這為各種緊湊型電源設(shè)計(jì)提供了更多可能。另外，智能控制技術(shù)的應(yīng)用，如基于AI的負(fù)載適應(yīng)技術(shù)，將使同步整流ic能夠根據(jù)負(fù)載的實(shí)時(shí)變化動(dòng)態(tài)調(diào)整工作狀態(tài)，進(jìn)一步提升了系統(tǒng)的整體效率和適應(yīng)性。深圳銀聯(lián)寶科技的同步整流ic U7715，是一款帶快速關(guān)斷功能的高性能副邊同步整流功率開(kāi)關(guān)，可以替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。U7715內(nèi)置有VDD高壓供電模塊，無(wú)需輔助繞組供電可穩(wěn)定工作，系統(tǒng)上; 閱讀（24）標(biāo)簽：

[公司新聞]同步整流ic U7613電源方案怎么搭都好用2024年09月25日 15:17: 同步整流電路靠性高，可控性好。在低壓大電流趨勢(shì)下，同步整流驅(qū)動(dòng)芯片被市場(chǎng)一致看好。深圳銀聯(lián)寶同步整流icU7613是一款帶快速關(guān)斷功能的高性能副邊同步整流功率開(kāi)關(guān)，可以在系統(tǒng)中替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。 ■IC 的啟動(dòng)和關(guān)機(jī) 在VDD電壓上升到VDD開(kāi)啟電壓VDD_ON(典型值4.5V)之前，同步整流icU7613處于關(guān)機(jī)狀態(tài)。內(nèi)部Gate智能鉗位電路可以保證內(nèi)置MOSFET不會(huì)發(fā)生高dv/dt導(dǎo)致的誤開(kāi)通。當(dāng)VDD電壓達(dá)到VDD_ON之后，芯片啟動(dòng)，內(nèi)部控制電路開(kāi); 閱讀（30）標(biāo)簽：

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