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: 友恩U92133電源管理芯片

谷底開通、原邊控制、系統(tǒng)效率高
多模式原邊控制方式
優(yōu)異的動態(tài)響應(yīng)
集成動態(tài)三極管驅(qū)動電路
優(yōu)化的 EMI 性能
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: 友恩U92123電源管理芯片

谷底開通、原邊控制、系統(tǒng)效率高
多模式原邊控制方式
優(yōu)異的動態(tài)響應(yīng)
集成動態(tài)三極管驅(qū)動電路
優(yōu)化的 EMI 性能
更多 +

: 友恩U92113電源管理芯片

谷底開通、原邊控制、系統(tǒng)效率高
多模式原邊控制方式
優(yōu)異的動態(tài)響應(yīng)
集成動態(tài)三極管驅(qū)動電路
優(yōu)化的 EMI 性能
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: PD20W充電器開關(guān)電源芯片U6620S

±5% 恒流精度；±1%恒壓精度
待機(jī)功耗<75mW
固定 65KHz 開關(guān)頻率
綠色省電模式和打嗝模式工作
超低啟動和工作電流
集成抖頻功能優(yōu)化 EMI
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: U2263開關(guān)電源芯片

可支持?jǐn)嗬m(xù)模式、連續(xù)模式的原邊恒流技術(shù)
集成抖頻功能優(yōu)化 EMI
綠色省電模式和打嗝模式工作
±5% 恒流精度；±1%恒壓精度
超低啟動和工作電流
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: 友恩U65123電源管理芯片

谷底開通、原邊控制、系統(tǒng)效率高
多模式原邊控制方式
優(yōu)異的動態(tài)響應(yīng)
集成動態(tài)三極管驅(qū)動電路
優(yōu)化的 EMI 性能
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: 友恩U6515電源芯片方案

內(nèi)置超高壓功率 BTJ
谷底開通、原邊控制、系統(tǒng)效率高
優(yōu)化的 EMI 性能
CV 模式可編程輸出線壓降補(bǔ)償
SOP-7 封裝
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: 友恩U6514開關(guān)電源方案芯片

內(nèi)置超高壓功率 BTJ
谷底開通、原邊控制、系統(tǒng)效率高
優(yōu)化的 EMI 性能
恒流、恒壓調(diào)整率小于 ±5%
待機(jī)功耗 <30mW
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: U6202SC開關(guān)電源芯片

支持DCM和CCM的原邊恒流、副邊恒壓控制
±1%恒壓精度，±4恒流精度，待機(jī)功耗＜70mW
滿載固定65KHz開關(guān)頻率，輕載Burst Mode
綠色省電模式，優(yōu)化的環(huán)路控制，啟動和工作電流
集成抖頻功能優(yōu)化EMI，集成線電壓、電感恒流補(bǔ)償技術(shù)
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: 高集成度電動車控制器電源芯片TB1212

外接元件少，無需外圍補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)能達(dá)到穩(wěn)定的動態(tài)相應(yīng)
低功耗與率（可達(dá)到 85%）
外接一個小功率電阻可控制峰值電流
固定的震蕩頻率加一個微調(diào)頻點以及頻率打嗝
頻率抖動技術(shù)很好的解決了 EMI 的安規(guī)要求
逐周期電流保護(hù)檢測
具有過載保護(hù)，短路保護(hù)，欠壓保護(hù)，過壓保護(hù)等全應(yīng)用保護(hù)
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: 副邊15W開關(guān)電源芯片 U6203D

效率滿足六級能效要求
副邊反饋/內(nèi)置600V 功率MOSFET
內(nèi)置65KHz 工作頻率
零OCP恢復(fù)間隙控制避免低壓啟動失敗
內(nèi)置4mS軟啟動, 管腳浮空保護(hù)
內(nèi)置頻率抖動EMI
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: 副邊90W開關(guān)電源芯片TB3890

頻率可外部編程，并內(nèi)置頻率抖動EMI
副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,啟動電流
管腳浮空保護(hù)
內(nèi)置同步斜率補(bǔ)償
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置高低壓過流補(bǔ)償實現(xiàn)全電壓平坦OCP
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: 副邊75W開關(guān)電源芯片U6101D

頻率可外部編程，并內(nèi)置頻率抖動EMI
副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,啟動電流
管腳浮空保護(hù)
內(nèi)置同步斜率補(bǔ)償
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置高低壓過流補(bǔ)償實現(xiàn)全電壓平坦OCP
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: 副邊75W開關(guān)電源芯片U6101S

頻率可外部編程，并內(nèi)置頻率抖動EMI
副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,啟動電流
管腳浮空保護(hù)
內(nèi)置同步斜率補(bǔ)償
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置高低壓過流補(bǔ)償實現(xiàn)全電壓平坦OCP
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: 12V 1A能效六級方案

效率滿足六級能效要求。
內(nèi)置頻率抖動EMI。
內(nèi)置高低壓過流補(bǔ)償。
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護(hù)。
內(nèi)置專利的線損補(bǔ)償,提高量產(chǎn)精度。
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: 副邊15W開關(guān)電源芯片 SF1539HT

內(nèi)置600V功率MOSFET
可編程外部過溫保護(hù)OTP
專利的“零OCP恢復(fù)間隙控制”避免低壓啟動失敗
副邊反饋/內(nèi)置MOSFET,內(nèi)置4ms軟啟動
管腳浮空保護(hù)
啟動電流
內(nèi)置頻率抖動EMI
內(nèi)置同步斜率補(bǔ)償實現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
內(nèi)置前沿消隱
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: 副邊15W開關(guān)電源芯片 SF1539

內(nèi)置600V功率MOSFET
可編程外部過溫保護(hù)OTP
專利的“零OCP恢復(fù)間隙控制”避免低壓啟動失敗
內(nèi)置4ms軟啟動
管腳浮空保護(hù)
啟動電流
內(nèi)置頻率抖動EMI
內(nèi)置同步斜率補(bǔ)償實現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
副邊反饋/內(nèi)置MOSFET,內(nèi)置前沿消隱
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: 副邊15W開關(guān)電源芯片 SF1538

副邊反饋/內(nèi)置600V功率MOSFET
可編程外部過溫保護(hù)OTP
專利的“零OCP恢復(fù)間隙控制”避免低壓啟動失敗
內(nèi)置4ms軟啟動
管腳浮空保護(hù)
啟動電流
內(nèi)置頻率抖動EMI
內(nèi)置同步斜率補(bǔ)償實現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
內(nèi)置前沿消隱
更多 +

: 副邊150W開關(guān)電源芯片 SF1565

頻率可外部編程，并內(nèi)置頻率抖動EMI
副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,啟動電流
管腳浮空保護(hù)
內(nèi)置同步斜率補(bǔ)償
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置高低壓過流補(bǔ)償實現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
VDD欠壓保護(hù)（UVLO），過壓保護(hù)及鉗位
更多 +

: 副邊150W開關(guān)電源芯片 SF1560

頻率可外部編程，并內(nèi)置頻率抖動EMI
副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,啟動電流
管腳浮空保護(hù)
內(nèi)置同步斜率補(bǔ)償
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置高低壓過流補(bǔ)償實現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
VDD欠壓保護(hù)（UVLO），過壓保護(hù)及鉗位
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