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副邊50W開關電源芯片 SF1530
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副邊反饋/外驅MOSFET,管腳浮空保護
系統頻率可編程，并內置頻率抖動EMI
內置同步斜率補償
逐周期電流限制，內置前沿消隱
內置高低壓過流補償實現全電壓平坦OCP曲線
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原邊25W開關電源芯片 SF6771T
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原邊反饋/外置MOSFET
效率滿足六級能效要求
優化降頻技術提率
零OCP恢復間隙控制避免低壓啟動失敗
內置頻率抖動EMI
內置同步斜率補償. 逐周期電流限制, 內置前沿消隱
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副邊65W開關電源芯片 SF5533
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副邊反饋/外驅MOSFET
效率滿足六級能效要求
優化降頻技術提率
無異音OCP補償低壓重載異音
零OCP恢復間隙控制避免低壓啟動失敗
內置頻率抖動EMI
內置4mS軟啟動, 管腳浮空保護
內置同步斜率補償. 逐周期電流限制, 內置前沿消隱
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副邊18W開關電源芯片 SF5549H
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副邊反饋/內置MOSFET
效率滿足六級能效要求
內置650V 功率MOSFET
內置65KHz 工作頻率
零OCP恢復間隙控制避免低壓啟動失敗
電流啟動
內置4mS軟啟動, 管腳浮空保護
內置頻率抖動EMI
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隔離36W開關電源芯片 SFL950
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提高系統效率，異音。
內置頻率抖動EMI。
系統效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求。
內置高低壓過流補償。
內置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護。
待機功耗(≤75mW)
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副邊15W開關電源芯片 SF5539H
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效率滿足六級能效要求
副邊反饋/內置600V 功率MOSFET
內置65KHz 工作頻率
零OCP恢復間隙控制避免低壓啟動失敗
內置4mS軟啟動, 管腳浮空保護
內置頻率抖動EMI
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24W系列 12V2A能效六級方案
提高系統效率，異音更多 +
內置軟啟動, 管腳浮空保護
效率滿足 六級能效
啟動電流
QR技術提高全負載效率,EMI和谷底切換異音
輸出過壓保護電壓可外部編程
逐周期電流限制, 內置前沿消隱
VDD欠壓保護(ULVO), 過壓保護及鉗位
零電壓帶載啟動減小OCP恢復間隙
內置頻率抖動EMI
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18W系列12V1.5A能效六級方案
更多 +
效率滿足六級能效要求
內置650V 功率MOSFET
內置65KHz 工作頻率
零OCP恢復間隙控制避免低壓啟動失敗
電流啟動
內置4mS軟啟動, 管腳浮空保護
內置頻率抖動EMI
內置逐周期電流限制, 內置前沿消隱
內置高低壓過流補償實現全電壓平坦OCP曲線
VDD欠壓保護(ULVO), 過壓保護及鉗位
OLP可編程
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65W系列 19V3.42A能效六級方案
優化降頻技術提率更多 +
零OCP恢復間隙控制避免低壓啟動失敗
效率滿足 六級能效
內置4mS軟啟動, 管腳浮空保護
無異音OCP補償低壓重載異音
OLP時間可編程
VDD欠壓保護(ULVO), 過壓保護及鉗位
內置同步斜率補償. 逐周期電流限制, 內置前沿消隱
內置頻率抖動EMI
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48W系列 48W能效六級方案
提高系統效率，異音。更多 +
內置頻率抖動EMI。
系統效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求。
內置高低壓過流補償。
內置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護。
待機功耗(≤75mW)
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5W系列 5V1A能效六級方案
QR-PSR控制提高工作效率更多 +
內置700V 功率三極管
效率滿足 ‘DoE六級能效’，待機＜75mW
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制內置頻率抖動EMI
內置快速動態響應控制，無異音工作
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現高精度
逐周期電流限制, 內置前沿消隱
VDD欠壓保護（UVLO）,過壓保護及鉗位
OTP過溫保護
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10W系列 5V2A能效六級方案
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制。更多 +
內置頻率抖動EMI。
系統效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求。
內置高低壓過流補償。
內置快速動態響應控制，無異音工作。
輸出過壓保護，VDD欠壓保護，VDD過壓保護及鉗位。
QR-PSR控制提高工作效率。
內置600V 功率MOSFET
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12W系列 12V1A能效六級方案
專利QR控制，提高系統效率，異音。更多 +
效率滿足六級能效要求。
內置頻率抖動EMI。
內置高低壓過流補償。
內置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護。
內置專利的線損補償,提高量產精度。
內置反饋腳(FB)短路保護
支持高50V 輸出電壓
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5W系列 5V1A能效六級方案
QR-PSR控制提高工作效率更多 +
內置700V 功率三極管
效率滿足 ‘DoE六級能效’，待機＜75mW
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制內置頻率抖動EMI
內置快速動態響應控制，無異音工作
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現高精度
逐周期電流限制, 內置前沿消隱
VDD欠壓保護（UVLO）,過壓保護及鉗位
OTP過溫保護
- [公司新聞]銀聯寶20W快充電源方案：220V單電壓和90-264V全電壓 通通都有！2025年07月02日 10:22
- ■220V單電壓：主控PD快充芯片U8722AH+同步整流IC U7715 PD快充芯片U8722AH集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統效率，芯片內置了高精度、高可靠性的驅動電路，驅動電壓為VDRV(典型值6.2V)。EMI性能為高頻交直流轉換器的設計難點，為此U8722AH通過DEM管腳集成了驅動電流分檔配置功能。通過配置DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅動電流，進而調節GaN FET的開通速度，系統設計者可以獲得最優
- 閱讀（4） 標簽：
- [公司新聞]抗干擾、極簡外圍的恒壓恒功率PD快充芯片U86232025年06月26日 14:55
- 夏天來了，小風扇成了我們手中的避暑神器。在各大購物平臺，迷你小風扇的搜索量日益上升，成為酷熱高溫里的外出必備單品。迷你小風扇的電源配件銷量也在猛增。如果你正在找尋一顆優質的充電器芯片，建議了解下深圳銀聯寶科技的PD快充芯片U8623！ PD快充芯片U8623是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM電源芯片，內置0.85Ω/650V的超結硅功率MOS。U8623具有全負載高效率、低空載損耗、低EMI干擾和高EMS抗干擾、極少外圍應用元件等優點。U8623在一定條件下適用于
- 閱讀（7） 標簽：
- [公司新聞]同步整流芯片U7610X搭配不同主控電源管理芯片方案推介！2025年06月20日 14:39
- 同步整流技術是一種提高電源效率的技術。同步整流技術采用導通電阻極低的功率MOSFET管來代替二極管，以降低整流過程中的能量損耗。深圳銀聯寶科技推出了多套同步整流芯片U7610X系列快充電源方案，降耗提效，效果顯著！ 同步整流芯片U7610B+U8621，推薦功率22.5W！ 電源管理芯片U8621是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM電源管理芯片,內置1.9Ω/630V的超結硅功率MOS。U8621具有全負載高效率、低空載損耗、低EMI干擾和高EMS抗干擾、極少外圍應用
- 閱讀（6） 標簽：
- [公司新聞]高頻高性能帶恒功率氮化鎵電源IC U872XAHE系列2025年06月19日 14:44
- 氮化鎵電源ICU872XAHE系列分為U8724AHE、U8725AHE、U8726AHE三個型號，都是20V單高壓帶恒功率，典型功率表如下： 氮化鎵電源ICU872XAHE系列是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉換功率開關。芯片集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實現小于30mW的超低待機功耗。U872XAHE的工作頻率最高可達220kHz，可全范圍工作在準諧振模式。芯片集成峰值電流抖動功能和驅動電流配置功能，可極大的優化系統EMI性能。芯
- 閱讀（6） 標簽：
- [公司新聞]PD快充芯片U8766穩定的電壓和頻率優化電源設備2025年06月18日 10:11
- 芯片工作頻率指芯片內部時鐘信號的振蕩速率，是芯片性能的重要基礎。晶體管導通電阻越小、切換速度越快，信號傳輸效率越高。PD快充芯片U8766的工作頻率最高可達220kHz，可全范圍工作在準諧振模式。芯片集成峰值電流抖動功能和驅動電流配置功能，可極大的優化系統EMI性能。U8766內置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓的應用場景。 針對寬輸出電壓應用場合，為了滿足VDD的寬電壓應用需求，往往需要添加額外的電路或者輔助繞組，導致系統功耗和電路成本的增加。PD快充芯片U876
- 閱讀（8） 標簽：
- [公司新聞]45W單壓單C氮化鎵電源方案：主控U8722EE+同步U7116W2025年06月04日 10:28
- 45W單壓單C氮化鎵電源方案推薦的主控芯片是來自深圳銀聯寶科技的氮化鎵電源芯片U8722EE，同步也是采用銀聯寶的同步整流芯片U7116W。為大家介紹下芯片的主要性能！ 氮化鎵電源芯片U8722EE特性： 集成700V E-GaN 集成高壓啟動功能 超低啟動和工作電流，待機功耗30mW 谷底鎖定模式，最高工作頻率兩檔可調(220kHz，130kHz) 集成EMI優化技術 驅動電流分檔配置 集成 Boost 供電電路 集成完備的保護功能： VDD過壓/欠壓保護 (VDD OV
- 閱讀（8） 標簽：
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