700V/365mΩ高壓啟動GaN快充芯片U8609
GaN快充芯片U8609最高工作頻率130kHz，700V/365mΩ，采用DASOP-7封裝，主推12V3A，合封第三代半導體GaN FET，有利于降低電源尺寸。U8609采用CS Jitter技術，通過調制峰值電流參考值實現頻率抖動，以優化系統EMI。
GaN快充芯片U8609復用CS管腳以設定系統最高工作頻率，CS管腳連接如圖所示。芯片啟動時，U8609通過檢測RSEL電阻從而決定芯片最大工作頻率。設定不同的RSEL電阻值即可選擇兩檔不同的系統工作頻率上限。選檔判定結束后系統鎖定，每一次啟動都伴隨一次判定。
在手機充電器的應用中，電池與充電器之間一般會通過一定長度的電纜相連，由此也將導致輸送到電池端的電壓產生一定的電壓降。GaN快充芯片U8609內置線損補償功能，根據負載的變化調整線損補償量，從而使得線纜輸出端獲得平直的恒壓輸出曲線。線損補償的最大值為輸出電壓的3%。
GaN快充芯片U8609集成外置NTC功能，NTC引腳外接NTC電阻，通過內部上拉電流源上拉，檢測NTC引腳電壓，當判定NTC管腳電壓小于VOTP時，觸發過溫保護功能。過溫保護設置0.1V的遲滯區間。
系統異常狀態下(如副邊整流管短路，變壓器繞組短路)，當功率開關的峰值電流達到AOCP的閾值VCS_AOCP (典型值 -1.2V)時，系統進入AOCP保護模式，降低系統開關頻率，如果連續三個開關周期觸發AOCP狀態后，GaN快充芯片U8609系統進入自動重啟保護模式保護模式。
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