“芯片四方聯(lián)盟”是由美政府提議，與日、韓、臺(tái)灣地區(qū)組建的。其意圖十分明顯，要將中國大陸排除在全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈之外。如果這個(gè)半導(dǎo)體壁壘建立起來，對(duì)我們將十分不利。芯片制造商深圳銀聯(lián)寶科技會(huì)密切關(guān)注，在開關(guān)電源芯片這塊領(lǐng)域繼續(xù)耕耘。

今天推薦的這款開關(guān)電源芯片U6113是一款內(nèi)部高度集成的降壓型準(zhǔn)諧振式（QR-Buck）LED 照明恒流驅(qū)動(dòng)功率開關(guān)芯片。U6113 在同一晶元上集成了高壓功率 MOSFET 和控制器。此外，芯片還集成有高壓啟動(dòng)電路和無需輔助繞組的電感電流過零檢測(cè)電路，利用此功能，系統(tǒng)工作在準(zhǔn)諧振模式下并且最大程度地簡化了系統(tǒng)的設(shè)計(jì)。

開關(guān)電源芯片U6113集成有完備的保護(hù)功能以保障系統(tǒng)安全可靠的運(yùn)行，如 VDD 欠壓保護(hù)功能、逐周期電流限制、過熱保護(hù)、LED 開路和短路保護(hù)等。

開關(guān)電源芯片U6113主要應(yīng)用于LED 照明驅(qū)動(dòng)，在 40V LED 輸出電壓下，175~265VAC：120mA、85~265VAC：100mA；在 60V LED 輸出電壓下，175~265VAC:100mA、85~265VAC：90mA。

開關(guān)電源芯片U6113極簡封裝TO-92，腳位如下：

1 Drain 內(nèi)部功率 MOSFET 漏極

2 CS 芯片地，也用作電感峰值電流控制腳

3 VDD 芯片電源供電

在開關(guān)電源芯片U6113芯片內(nèi)部，只要當(dāng)內(nèi)部高壓 MOSFET 關(guān)斷時(shí)，5.8V 的穩(wěn)壓器就會(huì)從芯片的 Drain 管腳端抽取一定的電流給 VDD 電容充電至 5.8V；再當(dāng)內(nèi)部高壓 MOSFET 導(dǎo)通的時(shí)候，5.8V 穩(wěn)壓器則停止工作而芯片靠 VDD 電容提供供電以正常運(yùn)行。由于芯片的工作電流超低，所以利用從芯片 Drain 管腳抽取的電流足以使其連續(xù)穩(wěn)定地工作。通常情況下，建議使用 1uF 的 VDD 電容用以濾除高頻噪聲和作為芯片供電。