氮化鎵是提高功率密度和提高多種應用中電源系統和電源效率的關鍵一步。在設計中使用GaN的公司數量正在迅速增長。降低功耗和提高效率至關重要。深圳銀聯寶科技新推出的氮化鎵快充芯片U8722DE，是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉換功率開關。芯片集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實現小于30mW的超低待機功耗。

氮化鎵快充芯片U8722DE主要特點：

1. 集成高壓啟動功能

2. 超低啟動和工作電流，待機功耗 <30mW

3. 谷底鎖定模式， 最高工作頻率兩檔可調(220kHz，130kHz)

4. 集成 EMI 優化技術

5. 驅動電流分檔配置

6. 集成 Boost 供電電路

7. 集成完備的保護功能：

VDD 過壓/欠壓保護 (VDD OVP/UVLO)

輸出過壓保護 (OVP)

輸入欠壓保護 (BOP)

片內過熱保護 (OTP)

逐周期電流限制 (OCP)

異常過流保護 (AOCP)

短路保護 (SCP)

過載保護 (OLP)

過流保護 (SOCP)

前沿消隱 (LEB)

CS 管腳開路保護

8. 封裝類型 ESOP-7

氮化鎵快充芯片U8722DE和昂寶OB2733、南芯SC3055對比，功能更全，負壓采樣可靠性更高，有BOP，高壓啟動待機更優、頻率更高，可調驅動。BOOST供電能做3.3~20V，SR輕載應力優化。ESOP-7封裝比SOP-7 封裝尺寸大，同規格散熱更好。具體腳位如下：

1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳

2 FB P 系統反饋輸入管腳

3 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測、驅動能力分檔判定管腳

4 VDD P 芯片供電管腳

5 SW P Boost 電路內置 MOS 的漏極管腳

6/7 GND P 芯片參考地

8 DRAIN P 內置高壓 GaN FET 漏極、高壓啟動供電管腳

氮化鎵技術越來越多地用于高電壓應用。這些應用需要具有更大功率密度、更高能效、更高開關頻率、更出色熱管理和更小尺寸的電源。除了數據中心，這些應用還包括HVAC系統、通信電源、光伏逆變器和筆記本電腦充電電源。提前了解深圳銀聯寶科技氮化鎵快充芯片U8722DE，提前把握“芯”風向！