在65W氮化鎵快充設計中，輸入欠壓保護與過壓保護協同工作，保障充電頭在電網波動時仍能穩定輸出，并避免因輸入異常導致次級電路損壞。今天介紹的65W全壓氮化鎵快充芯片U8766，輸入欠壓保護(BOP)，采用ESOP-10W封裝！

氮化鎵快充芯片U8766通過HV管腳對母線電壓進行采樣，當母線電壓值小于BOP保護閾值VBOP (典型值 100V)時，芯片內部的BOP延遲計時使能，計時時間為TBOP_DELAY(典型值 80ms)，計時結束后觸發BOP保護。如果母線電壓超過BOP恢復閾值VBOP_RE(典型值110V)，芯片將重新啟動。

氮化鎵快充芯片U8766管腳特征：

1 HV P 高壓啟動管腳

2 DRAIN P GaN FET 漏極引腳

3 Source P GaN FET 源極引腳

4 GND P 芯片參考地

5 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳

6 FB I 系統反饋輸入管腳

7 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測

8 VDD P 芯片供電管腳

9 SW P Boost 電路內置 MOS 的漏極管腳

10 NC -

氮化鎵快充芯片U8766還集成有其他完備的保護功能，包括：VDD欠壓保護(UVLO)、VDD過壓保護(VDD OVP)、輸入欠壓保護(BOP)、輸出過壓保護(OVP)、逐周期電流限制(OCP)、異常過流保護(AOCP)、過載保護(OLP)、輸出過流保護(SOCP)、內置過熱保護(OTP)、前沿消隱(LEB)、CS管腳開路保護等。

氮化鎵快充芯片U8766采用峰值電流抖動的方式實現進一步的EMI性能優化，峰值電流抖動幅值最大為±8%。芯片根據輸入電壓的變化調節抖動幅值，實現EMI優化的基礎上進一步優化輸出紋波。內部集成有軟啟動功能，在軟啟動時間TST (典型值5ms)內，電流峰值從最小值逐步增加，避免變壓器磁芯飽和，系統每次重啟都會伴隨一次軟啟動過程。