GaN是一種改變我們的生活方式，應用前景廣泛的特新材料。氮化鎵技術正在提供更快的開關速度、更小的尺寸、更高的效率。現在，深圳銀聯寶科技推出的電源芯片U8722BAS，是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉換功率開關，可以讓電源方案擁有更低的成本！

電源芯片U8722BAS集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實現小于30mW的超低待機功耗。U8722BAS的工作頻率最高可達220kHz，可全范圍工作在準諧振模式。芯片集成峰值電流抖動功能和驅動電流配置功能，可極大的優化系統EMI性能。芯片內置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓的應用場景。

電源芯片U8722BAS封裝類型為ASOP7-T4，管腳說明如下：

1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳

2 FB I 系統反饋輸入管腳

3 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測、驅動能力分檔判定管腳

4 VDD P 芯片供電管腳

5 SW P Boost 電路內置 MOS 的漏極管腳

6 GND P 芯片參考地

7 DRAIN P 內置高壓 GaN FET 漏極、高壓啟動供電管腳

電源芯片U8722BAS集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統效率，芯片內置了高精度、高可靠性的驅動電路，驅動電壓為VDRV (典型值 6.2V)。EMI性能為高頻交直流轉換器的設計難點，為此U8722BAS通過DEM管腳集成了驅動電流分檔配置功能。通過配置DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅動電流，進而調節GaN FET的開通速度，系統設計者可以獲得最優的EMI性能和系統效率的平衡。具體分壓電阻值可參照參數表。

電源芯片U8722BAS系列還集成輕載SR應力優化功能，在驅動電流配置為第一、第二、第三檔位時，當芯片工作于輕載模式時，將原邊開通速度減半，減小空載時SR的Vds應力過沖。U8722BAS采用峰值電流抖動的方式實現進一步的EMI性能優化，峰值電流抖動幅值最大為±8%。芯片根據輸入電壓的變化調節抖動幅值，實現EMI優化的基礎上進一步優化輸出紋波。

氮化鎵是第三代半導體核心材料之一，具備開關頻率高、禁帶寬度大、更低的導通電阻等優勢，是電子產品的重要材料和元件。深圳銀聯寶科技氮化鎵電源芯片通常被應用于快速充電器、適配器和LED照明驅動等領域，隨著方案落地上市和技術的進一步提升，對未來充滿信心，誠邀更多小伙伴關注、了解銀聯寶，期待合作！