隨著開(kāi)關(guān)電源芯片用量越來(lái)越多，技術(shù)方面也日趨成熟。同時(shí)隨著對(duì)成本要求越來(lái)越高，技術(shù)質(zhì)量和價(jià)格的平衡需要滿(mǎn)足。如何尋找低成本、高效率的開(kāi)關(guān)電源芯片？不妨來(lái)看看深圳銀聯(lián)寶科技的這顆開(kāi)關(guān)電源芯片U6113！

開(kāi)關(guān)電源芯片U6113在同一塊晶元上同時(shí)集成了高壓功率MOSFET和控制器。U6113內(nèi)部高度集成的高精度恒流控制電路和完備的保護(hù)功能使其適用于LED照明的應(yīng)用中，是帶有準(zhǔn)諧振式的降壓型功率開(kāi)關(guān)器。在40V LED輸出電壓下，175~265VAC：120mA、85~265VAC：100mA；在60V LED輸出電壓下：175~265VAC：100mA、85~265VAC：90mA。

▲5.8V 穩(wěn)壓器

在開(kāi)關(guān)電源芯片U6113芯片內(nèi)部，只要當(dāng)內(nèi)部高壓MOSFET關(guān)斷時(shí)，5.8V的穩(wěn)壓器就會(huì)從芯片的Drain管腳端抽取一定的電流給VDD電容充電至5.8V；再當(dāng)內(nèi)部高壓MOSFET導(dǎo)通的時(shí)候，5.8V穩(wěn)壓器則停止工作而芯片靠VDD電容提供供電以正常運(yùn)行。由于芯片的工作電流超低，所以利用從芯片Drain管腳抽取的電流足以使其連續(xù)穩(wěn)定地工作。通常情況下，建議使用1uF的VDD電容用以濾除高頻噪聲和作為芯片供電。

▲電流過(guò)零檢測(cè)（無(wú)需輔助繞組）

為了保證系統(tǒng)工作在準(zhǔn)諧振模式下，開(kāi)關(guān)電源芯片U6113利用檢測(cè)流經(jīng)內(nèi)部高壓MOSFET漏極和門(mén)極間寄生的米勒電容Crss的電流實(shí)現(xiàn)電流過(guò)零點(diǎn)的檢測(cè)。當(dāng)電感電流續(xù)流到零后，電感和高壓MOSFET的輸出電容開(kāi)始諧振過(guò)程。此過(guò)程中MOSFET的Drain端電壓開(kāi)始下降 ，同時(shí)會(huì)有一由地到MOSFET Drain端的負(fù)向電流流經(jīng)Crss電容。反之，當(dāng)MOFET關(guān)斷Drain端電壓上升時(shí)，會(huì)有一正向電流流經(jīng)Crss電容。

▲逐周期電流限制和前沿消隱

開(kāi)關(guān)電源芯片U6113 CS管腳作為芯片的參考地，同時(shí)也用來(lái)檢測(cè)電感電流峰值。當(dāng)MOSFET 導(dǎo)通時(shí)，VDD管腳和CS管腳之間的差分電壓開(kāi)始下降，當(dāng)此差分電壓大于峰值電流基準(zhǔn) 500mV時(shí)MOSFET關(guān)斷。為了避免MOSFET導(dǎo)通瞬間的噪聲引起錯(cuò)誤檢測(cè)，芯片設(shè)計(jì)有典型值為500ns的前沿消隱時(shí)間，在此時(shí)間內(nèi)逐周期電流限制比較器停止工作且MOSFET不允許關(guān)斷。

開(kāi)關(guān)電源芯片U6113設(shè)計(jì)的軟驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)電路優(yōu)化了系統(tǒng)的EMI性能，工作電流典型值為140uA。如此低的工作電流降低了對(duì)于VDD電容大小的要求，同時(shí)也可以幫助系統(tǒng)獲得更高的效率。可靠的性能，加上低成本，是一顆值得考慮的優(yōu)質(zhì)開(kāi)關(guān)電源芯片！