MOS管的驅(qū)動(dòng)對(duì)其工作效果起著決定性的作用。設(shè)計(jì)師既要考慮減少開(kāi)關(guān)損耗，又要求驅(qū)動(dòng)波形較好即振蕩小、過(guò)沖小、EMI小。這兩方面往往是互相矛盾的，需要尋求一個(gè)平衡點(diǎn)，即驅(qū)動(dòng)電路的優(yōu)化設(shè)計(jì)。

驅(qū)動(dòng)電路的優(yōu)化設(shè)計(jì)包含兩部分內(nèi)容：

一是優(yōu)的驅(qū)動(dòng)電流、電壓的波形；

二是優(yōu)的驅(qū)動(dòng)電壓、電流的大小。在進(jìn)行驅(qū)動(dòng)電路優(yōu)化設(shè)計(jì)之前，先清楚MOS管的模型、MOS管的開(kāi)關(guān)過(guò)程、MOS管的柵極電荷以及MOS管的輸入輸出電容、跨接電容、等效電容等參數(shù)對(duì)驅(qū)動(dòng)的影響。

銀聯(lián)寶電子研發(fā)出一款N溝道溝槽工藝 MOS管——AP8205A ，除了內(nèi)阻低的產(chǎn)品特點(diǎn)外，它還具有可靠性高，一致性好的產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)，以下是其參數(shù)：銀聯(lián)寶科技代理新潔能MOS管直銷(xiāo)NCE2010E，封裝形式是TSSOP-8，電壓（VDDS）能做到20V，電流能做到7A，VGS能做到10V。

然而銀聯(lián)寶科技一款可以替代NCE2010E的自家品牌低壓MOS管 AP8205A，TSSOP-8朔封封裝N溝道雙MOS管。采用的溝槽技術(shù)，提供較小的導(dǎo)通電阻，低柵極電荷，柵極工作電壓低2.5V。

銀聯(lián)寶科技的公司緊密結(jié)合自身器件與工藝設(shè)計(jì)技術(shù)的優(yōu)勢(shì)，與的芯片代工廠、封裝、測(cè)試代工廠保持密切配合與合作，嚴(yán)謹(jǐn)產(chǎn)品質(zhì)量控制，保證產(chǎn)品的持續(xù)和穩(wěn)定供貨。該公司產(chǎn)品的特點(diǎn)是：性能與可靠性超越同行，應(yīng)用偏向高端。注重品牌和信譽(yù)。目前專(zhuān)注于超結(jié)大功率MOS器件。