在快充技術(shù)Quick Charge 2.0得到普及之后，高通宣布推出其下一代快速充電技術(shù)Qualcomm-Quick Charge 3.0。作為快速充電技術(shù)的第三代產(chǎn)品，Quick Charge 3.0在同類產(chǎn)品中采用電壓智能協(xié)商（Intelligent Negotiation for Optimum Voltage，INOV）算法。INOV是由Qualcomm Technologies開發(fā)的全新算法，旨在幫助便攜設(shè)備具備選定所需功率電平的能力，以在任意時刻實(shí)現(xiàn)佳功率傳輸，且大化效率。Quick Charge 3.0采用了“佳電壓智能協(xié)商”(Intelligent Negotiation for Optimum Voltage，INOV)算法，可在任意時刻實(shí)現(xiàn)佳功率傳輸，且大化效率。

Quick Charge 3.0能在大約35分鐘內(nèi)將一部普通的手機(jī)從零電量充電80%，而不具備Quick Charge的傳統(tǒng)移動終端通常需要大致一個半小時的時間。與上一代相比，借助INOV和其他技術(shù)的Quick Charge 3.0，可實(shí)現(xiàn)比Quick Charge 2.0達(dá)38%的效率提升，同時還采用其他方法幫助保護(hù)電池壽命周期。

銀聯(lián)寶科技QC3.0快充方案U6201是一款優(yōu)化的高性能高集成的用于反激式變換器的電流模式PWM控制芯片，具備低待機(jī)功耗和低成本的優(yōu)點(diǎn)。正常工作下，PWM開關(guān)頻率處于合理的范圍內(nèi)。在空載或輕載條件下，IC就會工作在“跳周期模式”來減少開關(guān)損耗，從而實(shí)現(xiàn)低待機(jī)功耗和高轉(zhuǎn)換效率的實(shí)現(xiàn)。

QC3.0快充方案U6201的特點(diǎn)：

1.采用優(yōu)化降頻，效率均衡技術(shù)。

2.內(nèi)置頻率抖動EMI。

3.輕松滿足六級能效要求,待機(jī)功耗小于75Mw.

4.零OCP恢復(fù)間隙控制避免低壓啟動失敗。

5.無異音OCP補(bǔ)償?shù)蛪褐剌d異音。

6.輸出過壓保護(hù)，VDD欠壓保護(hù)，VDD過壓保護(hù)及鉗位。

7.封裝sot-23-6

8.小包裝：3000/盤

9.功率大小65W

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