剛剛落下帷幕的2024年，國內(nèi)智能手機銷量和去年同期相比屬于大洗牌，國產(chǎn)手機依然抗打，占據(jù)了國內(nèi)市場的絕大部分。在充電器相關配件銷量榜中，深圳銀聯(lián)寶科技的手機充電器ic排名穩(wěn)步向前，是芯片市場不容小覷的實力廠商。今天給大家介紹一下銀聯(lián)寶的手機充電器ic U6218！

手機充電器ic U6218集成了單點失效保護，包括FB上拉電阻開路保護、FB下拉電阻開路保護、FB下拉電阻短路保護、輸出二極管或者SR短路、RCS開路、變壓器繞組短路、IC GND管腳開路等保護。一旦故障發(fā)生，芯片將進入保護模式并自動重啟。IC的單點失效保護功能可以保證IC不損壞且輸出不產(chǎn)生過壓。

手機充電器ic U6218采用SOP-8封裝，引腳如下：

1 VDD P 芯片供電管腳

2 GND G 芯片參考地管腳

3 FB I 輸出反饋和消磁檢測管腳

4 CS I 電流采樣輸入管腳

5、6、7、8 Drain P 內(nèi)部功率管的漏極

在手機充電器的應用中，電池與充電器之間一般會通過一定長度的電纜相連，由此也將導致輸送到電池端的電壓產(chǎn)生一定的電壓降。手機充電器ic U6218內(nèi)置線損補償功能，根據(jù)負載的變化調(diào)整線損補償量，從而使得線纜輸出端獲得平直的恒壓輸出曲線。線損補償?shù)淖畲笾禐檩敵鲭妷旱?/span> 3%。

手機充電器ic U6218設計原邊回路時建議參考以下內(nèi)容（詳盡資料可參照規(guī)格書）：

1. 原邊主功率環(huán)路 (Loop1) 的面積應盡可能小，同時走線應盡可能粗以優(yōu)化效率。

2. RCD 吸收回路 (Loop2) 的面積應盡可能小。

3. VDD 電容 C3 應緊貼芯片，保證VDD回路(Loop3)的面積盡可能小。

4. 如 Line1 所示，輔助繞組應直接連接到輸入容的地，以減少ESD能量對于芯片的干擾。

5. 如 Line2 所示，VDD 電容 C3及FB下阻R5應先連接到芯片的GND管腳，再連接到輸入電容的地。

深圳銀聯(lián)寶科技在2025年的主攻方向仍然是我們所擅長的手機充電器、電源適配器領域，陸續(xù)會推出更多系列的手機充電器ic、氮化鎵電源ic。關注銀聯(lián)寶，一起迎接2025的每一天！