各種型號的MOS管實在讓人眼花繚亂，但如果能夠選擇一款合適的MOS管就能降低生產制造成本，還能充分發(fā)揮設備的效果。但選擇合適的電子元件是需要經過考慮電壓、電流及散熱等相關屬性。那具體應該要怎么考慮呢？今天，銀聯(lián)寶電子MOS管廠家就來分享一下。

一、N溝道orP溝道

選擇好MOS管器件的步是決定采用N溝道還是P溝道MOS管。在典型的功率應用中，當MOS管接地，而負載連接到干線電壓上時，該MOS管就構成了低壓側開關。在低壓側開關中，應采用N溝道MOS管，這是出于對關閉或導通器件所需電壓的考慮。當MOS管連接到總線及負載接地時，就要用高壓側開關。通常會采用P溝道MOS管，這也是出于對電壓驅動的考慮。

二、MOS管的額定電流

與電壓的情況相似，確保所選的MOS管能承受這個額定電流，即使在系統(tǒng)產生尖峰電流時。兩個考慮的電流情況是連續(xù)模式和脈沖尖峰。在連續(xù)導通模式下，MOS管處于穩(wěn)態(tài)，此時電流連續(xù)通過器件。脈沖尖峰是指有大量電涌（或尖峰電流）流過器件。一旦確定了這些條件下的大電流，只需直接選擇能承受這個大電流的器件便可。

三、MOS管的散熱要求

銀聯(lián)寶電子MOS管廠家建議在確定電流之后，就要計算系統(tǒng)的散熱要求。設計人員考慮兩種不同的情況：壞情況和真實情況。建議采用針對壞情況的計算結果，因為這個結果提供更大的余量，能確保系統(tǒng)不會失效。在MOS管的資料表上還有一些需要注意的測量數(shù)據(jù)，比如封裝器件的半導體結與環(huán)境之間的熱阻，以及大的結溫。

四、MOS管的開關性能

影響開關性能的參數(shù)有很多，但重要的是柵極/漏極、柵極/源極及漏極/源極電容。因為在每次開關時都要對這些電容充電，會在器件中產生開關損耗；MOS管的開關速度也因此被降低，器件效率隨之下降；其中，柵極電荷（Qgd）對開關性能的影響大。

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