準諧振電路通常由一個電感（L）、一個電容（C）和一個開關（如晶體管或MOSFET）組成。開關的周期性開關操作使得電路在接近諧振頻率時工作。電源管理ic U6113在同一塊晶元上同時集成了高壓功率MOSFET和控制器，是帶有準諧振式的降壓型功率開關器。

在電源管理ic U6113芯片內部，只要當內部高壓MOSFET關斷時，5.8V的穩壓器就會從芯片的Drain管腳端抽取一定的電流給VDD電容充電至5.8V；再當內部高壓MOSFET導通的時候，5.8V穩壓器則停止工作而芯片靠VDD電容提供供電以正常運行。由于芯片的工作電流超低，所以利用從芯片Drain管腳抽取的電流足以使其連續穩定地工作。通常情況下，建議使用1uF的VDD電容用以濾除高頻噪聲和作為芯片供電。

為了保證系統工作在準諧振模式下，電源管理ic U6113利用檢測流經內部高壓MOSFET漏極和門極間寄生的米勒電容Crss的電流實現電流過零點的檢測。當電感電流續流到零后，電感和高壓MOSFET的輸出電容開始諧振過程。此過程中MOSFET的Drain端電壓開始下降 ，同時會有一由地到MOSFET Drain端的負向電流流經Crss電容。反之，當MOFET關斷Drain端電壓上升時，會有一正向電流流經Crss電容。芯片利用檢測到的流經Crss電容的負向電流實現了電感電流過零點的檢測。

CS管腳作為電源管理ic U6113的參考地，同時也用來檢測電感電流峰值。當MOSFET導通時，VDD管腳和CS管腳之間的差分電壓開始下降，當此差分電壓大于峰值電流基準500mV時MOSFET關斷。為了避免MOSFET導通瞬間的噪聲引起錯誤檢測，芯片設計有典型值為500ns的前沿消隱時間，在此時間內逐周期電流限制比較器停止工作且MOSFET不允許關斷。

電源管理ic U6113，內部高度集成的高精度恒流控制電路和完備的保護功能使其適用于LED照明的應用中。工作電流典型值為140uA。如此低的工作電流降低了對于VDD電容大小的要求，同時也可以幫助系統獲得更高的效率！