快充技術(shù)面世以后發(fā)展的速度不可不稱為神速，不但各種各樣的快充如雨后春筍般冒出來，技術(shù)的更新?lián)Q代也非常的快。就比如高通的QC快充，短短的時(shí)間內(nèi)，現(xiàn)在都已經(jīng)到QC4.0的時(shí)代了，我們知道現(xiàn)在QC快充和PD快充是現(xiàn)在的兩大主流快充技術(shù)。今天我們回顧一下從QC1.0到QC4.0快充技術(shù)的發(fā)展歷程。

早的5V0.5A充電就遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠看了，然后大家就開始一點(diǎn)點(diǎn)的提升充電器的功率。這個(gè)時(shí)候高通站出來了，直接搞了個(gè)5V2A，就這樣QC1.0就出來了。

5V2A充電器芯片U6117SA的特點(diǎn)：

1.效率滿足六級能效要求

2.低待機(jī)功耗小于75mW

3.原邊反饋,內(nèi)置600V 功率MOSFET

4.QR-PSR控制提高工作效率

5.封裝：SOP-8

大屏智能手機(jī)還在繼續(xù)發(fā)展，電池續(xù)航能力還是跟不上，快充也成為了各大手機(jī)廠商的賣點(diǎn)之一，于是QC2.0誕生了。QC2.0打破了常規(guī)的5V充電電壓，直接提升到了9V/12V/20V，在與QC1.0保持相同2A電流下實(shí)現(xiàn)了18W大功率電力傳輸。

9V2A充電器芯片U6108S的特點(diǎn)：

1帶混洗的PWM開關(guān)頻率固定為65KHz，并修整到較窄的范圍。

2.集成電路具有內(nèi)置的綠色和突發(fā)模式控制功能，可實(shí)現(xiàn)輕負(fù)載和零3.集成了以下功能和保護(hù)：欠壓鎖定（UVLO），VDD過壓保護(hù)（VDD OVP），逐周期電流限制（OCP），短路負(fù)載保護(hù)（SLP），過載保護(hù)（OLP），片上 熱關(guān)斷（OTP），軟啟動，VDD鉗位等。

4.封裝：SOP-8

QC2.0把功率是提上去了，但是出現(xiàn)了兩個(gè)問題，個(gè)是由于電壓太高，充電的效率下降了，個(gè)是充電時(shí)熱量太大，于是高通又搞出了個(gè)QC3.0。

在QC2.0 9V/12V兩檔電壓基礎(chǔ)上，進(jìn)一步細(xì)分電壓檔，采用的電壓智能協(xié)商算法以200mV為一檔設(shè)定電壓，低可下探3.6V高電壓20V，并且向下兼容QC2.0。然后使用Type-c接口取代原來的MicroUSB接口，大電流也提升到了3A。這樣就把效率和充電都提高了，同時(shí)也降低了發(fā)熱率。

現(xiàn)在QC4.0已經(jīng)出來了，并把功率又提升了28W，兼容USB PD協(xié)議，壓檔繼續(xù)細(xì)分以20mV為一檔。

12V3A充電器芯片U6201的特點(diǎn)：

1.恒流控制支持CCM和DCM模式

2.自動補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化

3.±5％恒壓恒流精度, 快速動態(tài)響應(yīng)控制

4.副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,待機(jī)功耗小于75Mw

5.封裝：SOT23-6

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