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友恩U8623開關電源芯片
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固定65K赫茲的開關頻率
內置抖頻技術優化EMI
內置斜率補償的峰值電流控制方式
低空載待機功耗（<75mW@AC230V）
支持恒壓、恒功率、恒溫輸出
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友恩U8621開關電源芯片
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固定65K赫茲的開關頻率
內置抖頻技術優化EMI
內置斜率補償的峰值電流控制方式
低空載待機功耗（<75mW@AC230V）
支持恒壓、恒功率、恒溫輸出
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友恩U8733X系列氮化鎵電源芯片
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集成高壓E-GaN
集成高壓啟動功能
超低啟動和工作電流，待機功耗<30mW
谷底鎖定模式，最高工作頻率兩檔可調(220kHz，130kHz)
集成EMI優化技術
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友恩U860X系列氮化鎵電源芯片
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集成高壓E-GaN
集成高壓啟動功能
超低啟動和工作電流，待機功耗<30mW
谷底鎖定模式，最高工作頻率兩檔可調(220kHz，130kHz)
集成EMI優化技術
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友恩U876X系列氮化鎵電源芯片
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集成高壓E-GaN
集成高壓啟動功能
超低啟動和工作電流，待機功耗<30mW
谷底鎖定模式，最高工作頻率兩檔可調(220kHz，130kHz)
集成EMI優化技術
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友恩U872XAH系列氮化鎵電源芯片
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集成高壓E-GaN
集成高壓啟動功能
超低啟動和工作電流，待機功耗<30mW
谷底鎖定模式，最高工作頻率兩檔可調(220kHz，130kHz)
集成EMI優化技術
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友恩U8722XAS系列氮化鎵電源芯片
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集成高壓E-GaN
集成高壓啟動功能
超低啟動和工作電流，待機功耗<30mW
谷底鎖定模式，最高工作頻率兩檔可調(220kHz，130kHz)
集成EMI優化技術
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友恩U872XAHS系列氮化鎵電源芯片
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集成高壓E-GaN
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超低啟動和工作電流，待機功耗<30mW
谷底鎖定模式，最高工作頻率兩檔可調(220kHz，130kHz)
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友恩U872XAHE系列氮化鎵電源芯片
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集成高壓E-GaN
集成高壓啟動功能
超低啟動和工作電流，待機功耗<30mW
谷底鎖定模式，最高工作頻率兩檔可調(220kHz，130kHz)
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友恩U873X系列氮化鎵電源芯片
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集成高壓E-GaN
集成高壓啟動功能
超低啟動和工作電流，待機功耗<30mW
谷底鎖定模式，最高工作頻率兩檔可調(220kHz，130kHz)
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友恩U8722X系列氮化鎵電源芯片
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集成高壓E-GaN
集成高壓啟動功能
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多模式原邊控制方式
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多模式原邊控制方式
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優化的 EMI 性能
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谷底開通、原邊控制、系統效率高
多模式原邊控制方式
優異的動態響應
集成動態三極管驅動電路
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友恩U25135開關電源芯片
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谷底開通、原邊控制、系統效率高
多模式原邊控制方式
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集成動態三極管驅動電路
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友恩U25134開關電源芯片
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谷底開通、原邊控制、系統效率高
多模式原邊控制方式
優異的動態響應
集成動態三極管驅動電路
優化的 EMI 性能
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友恩U25133開關電源芯片
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谷底開通、原邊控制、系統效率高
多模式原邊控制方式
優異的動態響應
集成動態三極管驅動電路
優化的 EMI 性能
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友恩U25132開關電源芯片
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谷底開通、原邊控制、系統效率高
多模式原邊控制方式
優異的動態響應
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友恩U65153電源管理芯片
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谷底開通、原邊控制、系統效率高
多模式原邊控制方式
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優化的 EMI 性能
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