-
成本的5V2.4A充電器方案,精簡BOM,非標
更多 +
輸入電壓:90-265Vac輸入
輸出功率:12W
QR-PSR控制提高工作效率
待機功耗:<75mW
平均效率:>83.33%,滿足六級能效要求
PSR控制模式,無光耦,無431
-
成本的5V2A充電器方案,精簡BOM,可認證
更多 +
輸入電壓:90-265Vac輸入
輸出功率:10W
QR-PSR控制提高工作效率
PSR控制模式,無光耦,無431
待機功耗:<75mW
平均效率:>83.33%,滿足六級能效要求
-
60W系列 12V5A六級能效方案
更多 +
恒流控制支持CCM和DCM模式
自動補償輸入電壓.電感感量變化
±5%恒壓恒流精度, 快速動態響應控制
副邊反饋/外驅MOSFET,待機功耗小于75Mw
65KHZ 固定工作頻率
啟動電流
逐周期電流限制,
內置斜率補償
-
12W系列 12V1A能效六級方案
更多 +
效率滿足六級能效要求
低待機功耗小于75mW
原邊反饋,內置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4%恒壓恒流精度,多模式PSR控制
-
10W系列 5V2A六級能效方案
更多 +
QR-PSR控制提高工作效率。
±4% 的恒流恒壓精度,PSR控制模式。
系統效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求,待機<75mW。
原邊反饋/內置三極管,內置專利的線損電壓補償。
內置軟啟動,啟動電流,管腳浮空保護。
VDD欠壓保護,VDD過壓保護及鉗位。
-
10W系列 5V2A能效六級方案
更多 +
原邊反饋/內置MOSFET
效率滿足六級能效要求
低待機功耗小于75mW
內置600V 功率MOSFET
-
5W系列 5V1A 能效六級方案
更多 +
效率滿足六級能效要求
低待機功耗小于75mW
內置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
-
5W系列 5V1A能效六級方案
更多 +
效率滿足六級能效要求
內置700V 功率三極管
QR-PSR控制提高工作效率
±4%恒壓恒流精度,多模式PSR控制
內置可編程線損電壓補償
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現高精度
原邊反饋/內置三極管,內置短路保護
逐周期電流限制, 內置前沿消隱
OTP過溫保護
-
副邊15W開關電源芯片 U6203D
更多 +
效率滿足六級能效要求
副邊反饋/內置600V 功率MOSFET
內置65KHz 工作頻率
零OCP恢復間隙控制避免低壓啟動失敗
內置4mS軟啟動, 管腳浮空保護
內置頻率抖動EMI
-
原邊12W開關電源芯片TB6806D
更多 +
效率滿足六級能效要求
低待機功耗小于75mW
原邊反饋,內置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4%恒壓恒流精度,多模式PSR控制
-
原邊10W開關電源芯片TB6806SA
更多 +
原邊反饋/內置MOSFET
效率滿足六級能效要求
低待機功耗小于75mW
內置600V 功率MOSFET
-
原邊5W開關電源芯片TB6806S
更多 +
效率滿足六級能效要求
低待機功耗小于75mW
內置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
-
副邊15W開關電源芯片 TB3815
更多 +
效率滿足六級能效要求
副邊反饋/內置600V 功率MOSFET
內置65KHz 工作頻率
零OCP恢復間隙控制避免低壓啟動失敗
內置4mS軟啟動, 管腳浮空保護
-
原邊12W開關電源芯片 TB6812
更多 +
效率滿足六級能效要求
原邊反饋/內置650V 功率MOSFET
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
內置軟啟動,啟動電流,管腳浮空保護
-
原邊6W開關電源芯片 TB5806
更多 +
效率滿足六級能效要求
內置700V 功率三極管
QR-PSR控制提高工作效率
±4%恒壓恒流精度,多模式PSR控制
內置可編程線損電壓補償
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現高精度
原邊反饋/內置三極管,內置短路保護
逐周期電流限制, 內置前沿消隱
OTP過溫保護
-
原邊12W開關電源芯片 TB5812
更多 +
QR-PSR控制提高工作效率。
±4% 的恒流恒壓精度,PSR控制模式。
系統效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求,待機<75mW。
原邊反饋/內置三極管,內置專利的線損電壓補償。
內置軟啟動,啟動電流,管腳浮空保護。
VDD欠壓保護,VDD過壓保護及鉗位。
-
原邊13W開關電源芯片 U6773S
更多 +
效率滿足六級能效要求
原邊反饋/內置650V 功率MOSFET
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
內置軟啟動,啟動電流,管腳浮空保護
-
12V 1A能效六級方案
更多 +
效率滿足六級能效要求。
內置頻率抖動EMI。
內置高低壓過流補償。
內置軟啟動,啟動電流,管腳浮空保護。
內置專利的線損補償,提高量產精度。
-
副邊150W開關電源芯片 SF5877
更多 +
副邊反饋/外驅MOSFET,內置軟啟動
效率滿足六級能效
輸出過壓保護(OVP)電壓可外部編程
外部編程過溫(OTP)保護
內置拔插頭鎖存(latch plugoff)保護
管腳浮空保護
啟動電流 <>br/內置高低壓過流補償實現全電壓平坦OCP曲線
內置前沿消隱
-
原邊12W開關電源芯片 U6117D
更多 +
效率滿足六級能效要求
低待機功耗小于70mW
原邊反饋,內置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4%恒壓恒流精度,多模式PSR控制