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低壓MOS管場效應管AP3010 SOP-8封裝 N溝道MOS管現貨供應
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SOP-8封裝
較小的導通電阻RDS（on）
低柵極電荷，柵極工作電壓低
適用于保護電路，開關電路
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低壓MOS管 AP8205A TSSOP8
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雙N溝道TSSOP8薄體，密腳的
較小的導通電阻RDS（on）
低柵極電荷，柵極工作電壓低2.5V
適用于保護電路，開關電路
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低壓MOS管 AP3401 SOT23
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SOT23-3塑料封裝P道金屬氧化物半導體場效應管，P溝道功率MOSFET
適用于作負載開關或脈寬調制應用
阻抗值較低
VDS（V）=-30V ID=-4.2A（VGS=-10V） RDS(ON)＜50mΩ（VGS=-10V） RDS(ON)＜65mΩ（VGS=-4.5V） RDS(ON)＜85mΩ（VGS=-2.5V
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低壓MOS管 AP2302 SOT23
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P負載開關
便攜式設備負載開關
直流/直流轉換器
阻抗值較小
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低壓MOS管 AP2300 SOT23
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低導通電阻150°C操作溫度
溝槽加工技術，實現極低的通電阻
低導通電阻
快速切換
無鉛，符合RoHS要求
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低壓MOS AP8205 SOT23-6封裝
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采用的溝槽技術
提供較小的導通電阻RDS（on）
低柵極電荷
柵極電壓低于2.5V
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5V2.4A同步整流芯片TB8521
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●工作在非連續模式(DCM)的次級同步整流控制器
●內部集成高性能N 溝道 MOSFE
●超快速開管能力的驅動電路
●啟動及靜態工作電流
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5V2A同步整流芯片TB8520
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●工作在非連續模式(DCM)的次級同步整流控制器
●內部集成高性能N 溝道 MOSFE
●超快速開管能力的驅動電路
●啟動及靜態工作電流
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60W系列 12V5A六級能效方案
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恒流控制支持CCM和DCM模式
自動補償輸入電壓.電感感量變化
±5％恒壓恒流精度, 快速動態響應控制
副邊反饋/外驅MOSFET,待機功耗小于75Mw
65KHZ 固定工作頻率
啟動電流
逐周期電流限制,
內置斜率補償
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12W系列 12V1A能效六級方案
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效率滿足六級能效要求
低待機功耗小于75mW
原邊反饋,內置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
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10W系列 5V2A六級能效方案
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QR-PSR控制提高工作效率。
±4% 的恒流恒壓精度,PSR控制模式。
系統效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求,待機＜75mW。
原邊反饋/內置三極管,內置專利的線損電壓補償。
內置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護。
VDD欠壓保護，VDD過壓保護及鉗位。
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10W系列 5V2A能效六級方案
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原邊反饋/內置MOSFET
效率滿足六級能效要求
低待機功耗小于75mW
內置600V 功率MOSFET
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5W系列 5V1A 能效六級方案
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效率滿足六級能效要求
低待機功耗小于75mW
內置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
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5W系列 5V1A能效六級方案
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效率滿足六級能效要求
內置700V 功率三極管
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
內置可編程線損電壓補償
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現高精度
原邊反饋/內置三極管,內置短路保護
逐周期電流限制, 內置前沿消隱
OTP過溫保護
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原邊10W開關電源芯片TB6806SA
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原邊反饋/內置MOSFET
效率滿足六級能效要求
低待機功耗小于75mW
內置600V 功率MOSFET
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12V 1A能效六級方案
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效率滿足六級能效要求。
內置頻率抖動EMI。
內置高低壓過流補償。
內置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護。
內置專利的線損補償,提高量產精度。
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霍爾IC FD1257H
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將馬達驅動程序與霍爾傳感器集成, 從而簡化了 pcb (印刷電路板) 的設計
鎖關和 auto-restart 功能使電動機不被過熱, 并在鎖定后重新啟動馬達
采用 "軟開關" 相位開關技術來減小振動和噪聲
熱關閉保護確保馬達驅動程序在指定的溫度范圍內運行
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霍爾IC FD125CA
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帶有嵌入式霍爾傳感器的兩個線圈馬達驅動程序
將馬達驅動程序與霍爾傳感器集成, 從而簡化了 pcb (印刷電路板) 的設計
鎖關和 auto-restart 功能使電動機不被過熱, 并在鎖定后重新啟動馬達
采用 "軟開關" 相位開關技術來減小振動和噪聲
熱關閉保護確保馬達驅動程序在指定的溫度范圍內運行
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霍爾IC FD115C
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帶有嵌入式霍爾傳感器的兩個線圈馬達驅動程序
將馬達驅動程序與霍爾傳感器集成, 從而簡化了 pcb (印刷電路板) 的設計
鎖關和 auto-restart 功能使電動機不被過熱, 并在鎖定后重新啟動馬達
采用 "軟開關" 相位開關技術來減小振動和噪聲
熱關閉保護確保馬達驅動程序在指定的溫度范圍內運行
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