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[公司新聞]PD快充芯片U8732軟啟動(dòng)功能保障電源電壓平穩(wěn)上升2025年07月03日 15:23: 軟啟動(dòng)技術(shù)的核心在于控制芯片電源電壓的平穩(wěn)上升。銀聯(lián)寶PD快充芯片U8732內(nèi)部集成有軟啟動(dòng)功能，在軟啟動(dòng)時(shí)間TST(典型值 5ms)內(nèi)，電流峰值從最小值逐步增加，避免變壓器磁芯飽和，系統(tǒng)每次重啟都會(huì)伴隨一次軟啟動(dòng)過程。由于原邊功率開關(guān)寄生電容、變壓器寄生電容和副邊整流管反向恢復(fù)的原因，功率開關(guān)開通瞬間會(huì)在采樣電阻上產(chǎn)生電壓尖刺。為避免驅(qū)動(dòng)信號(hào)被錯(cuò)誤關(guān)閉，PD快充芯片U8732內(nèi)部集成有前沿消隱功能。在開關(guān)管導(dǎo)通之后的TLEB_OCP(典型值 230ns)時(shí)間內(nèi)，峰值電流; 閱讀（1）標(biāo)簽：

[公司新聞]銀聯(lián)寶20W快充電源方案：220V單電壓和90-264V全電壓通通都有！2025年07月02日 10:22: ■220V單電壓：主控PD快充芯片U8722AH+同步整流IC U7715 PD快充芯片U8722AH集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)電壓為VDRV(典型值6.2V)。EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)難點(diǎn)，為此U8722AH通過DEM管腳集成了驅(qū)動(dòng)電流分檔配置功能。通過配置DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅(qū)動(dòng)電流，進(jìn)而調(diào)節(jié)GaN FET的開通速度，系統(tǒng)設(shè)計(jì)者可以獲得最優(yōu); 閱讀（4）標(biāo)簽：

[公司新聞]抗干擾、極簡(jiǎn)外圍的恒壓恒功率PD快充芯片U86232025年06月26日 14:55: 夏天來了，小風(fēng)扇成了我們手中的避暑神器。在各大購(gòu)物平臺(tái)，迷你小風(fēng)扇的搜索量日益上升，成為酷熱高溫里的外出必備單品。迷你小風(fēng)扇的電源配件銷量也在猛增。如果你正在找尋一顆優(yōu)質(zhì)的充電器芯片，建議了解下深圳銀聯(lián)寶科技的PD快充芯片U8623！ PD快充芯片U8623是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM電源芯片，內(nèi)置0.85Ω/650V的超結(jié)硅功率MOS。U8623具有全負(fù)載高效率、低空載損耗、低EMI干擾和高EMS抗干擾、極少外圍應(yīng)用元件等優(yōu)點(diǎn)。U8623在一定條件下適用于; 閱讀（7）標(biāo)簽：

[公司新聞]PD 40W氮化鎵快充電源方案：U8725AHE+U7110W2025年06月26日 10:50: 芯片替代方案在選型時(shí)，需要選擇比原芯片參數(shù)更多或一樣的芯片。如果封裝能做到pin to pin，則無需更改PCB設(shè)計(jì)，否則就要重新設(shè)計(jì)PCB板，替換的步驟和成本將高許多。如果產(chǎn)品更新?lián)Q代的速度較快，在選型時(shí)就要考慮芯片的可升級(jí)性，為以后的長(zhǎng)遠(yuǎn)效益做打算。深圳銀聯(lián)寶科技新推出的PD 40W氮化鎵快充電源方案U8725AHE+U7110W，正被采用替代市面上常見的一些料號(hào)，感興趣的小伙伴可以多多了解一下！氮化鎵快充芯片U8725AHE集成了高壓?jiǎn)?dòng)功能。如圖所示，在啟動(dòng)階段，; 閱讀（5）標(biāo)簽：

[公司新聞]PD快充芯片U8766穩(wěn)定的電壓和頻率優(yōu)化電源設(shè)備2025年06月18日 10:11: 芯片工作頻率指芯片內(nèi)部時(shí)鐘信號(hào)的振蕩速率，是芯片性能的重要基礎(chǔ)。晶體管導(dǎo)通電阻越小、切換速度越快，信號(hào)傳輸效率越高。PD快充芯片U8766的工作頻率最高可達(dá)220kHz，可全范圍工作在準(zhǔn)諧振模式。芯片集成峰值電流抖動(dòng)功能和驅(qū)動(dòng)電流配置功能，可極大的優(yōu)化系統(tǒng)EMI性能。U8766內(nèi)置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓的應(yīng)用場(chǎng)景。針對(duì)寬輸出電壓應(yīng)用場(chǎng)合，為了滿足VDD的寬電壓應(yīng)用需求，往往需要添加額外的電路或者輔助繞組，導(dǎo)致系統(tǒng)功耗和電路成本的增加。PD快充芯片U876; 閱讀（8）標(biāo)簽：

[公司新聞]氮化鎵快充芯片U8722SP調(diào)整封裝形式為SOP-8輸出20W2025年06月16日 10:51: 氮化鎵快充芯片U8722SP封裝形式升級(jí)調(diào)整為SOP-8，集成完備的保護(hù)功能：VDD過壓/欠壓保護(hù)(VDD OVP/UVLO)、輸出過壓保護(hù)(OVP)、輸出欠壓保護(hù)(DEM UVP)、輸入過壓保護(hù)(LOVP)、輸入欠壓保護(hù)(BOP)、片內(nèi)過熱保護(hù)(OTP)、逐周期電流限制(OCP)、異常過流保護(hù)(AOCP)、短路保護(hù)(SCP)、過載保護(hù)(OLP)、前沿消隱(LEB)、CS管腳開路保護(hù)等。氮化鎵快充芯片U8722SP管腳說明： 1 GND P 芯片參考地 2 CS I/O 電; 閱讀（6）標(biāo)簽：

[公司新聞]20V單高壓帶恒功率氮化鎵PD快充芯片U8725AHE2025年06月05日 15:07: 充電器和適配器等快充設(shè)備，需匹配高功率密度與寬電壓輸出范圍的快充芯片。深圳銀聯(lián)寶科技推出的20V單高壓帶恒功率氮化鎵PD快充芯片U8725AHE，集成高壓?jiǎn)?dòng)、功率器件和保護(hù)電路，省去外部Boost/Buck電路及分立元件，縮小PCB面積；內(nèi)置高壓E-GaN和Boost供電電路，支持寬電壓輸出，切莫錯(cuò)過！ PD快充芯片U8725AHE主要特性： 1.集成高壓 E-GaN 2.集成高壓?jiǎn)?dòng)功能 3.超低啟動(dòng)和工作電流，待機(jī)功耗 30mW 4.谷底鎖定模式，最高工作頻率兩檔可; 閱讀（8）標(biāo)簽：

[公司新聞]集成MOS耐壓700V低啟動(dòng)低功耗的PD快充芯片U8722SP2025年05月30日 14:16: 耐壓值定義了芯片安全工作電壓上限，若輸入電壓超過該值（如動(dòng)態(tài)波動(dòng)或負(fù)載突變），可能引發(fā)擊穿或永久損壞，直接影響器件可靠性、性能表現(xiàn)及系統(tǒng)適配性。高耐壓芯片需更大厚度或更高電阻率的半導(dǎo)體材料，工藝制程要求更高。深圳銀聯(lián)寶科技的PD快充芯片U8722SP是一款集成 E-GaN 的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)，集成MOS耐壓700V，值得一試！ PD快充芯片U8722SP集成了高壓?jiǎn)?dòng)功能。如圖1所示，在啟動(dòng)階段，U8722SP通過芯片DRAIN腳對(duì)VDD充電，當(dāng)VDD電; 閱讀（10）標(biāo)簽：

[公司新聞]耐壓650V氮化鎵快充芯片U8733L優(yōu)化能源利用效率2025年05月27日 11:34: 恒功率控制方式通過精確的控制策略和先進(jìn)的電子技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了在各種工況下輸出功率的恒定。其基本原理是通過調(diào)節(jié)系統(tǒng)的輸入或輸出參數(shù)（如電壓、電流等），使得系統(tǒng)在負(fù)載變化時(shí)能夠維持輸出功率不變。銀聯(lián)寶氮化鎵快充芯片U8733L集成恒功率控制與主動(dòng)降功率控制功能，在恒功率區(qū)間，通過控制輸出電流隨輸出電壓變化，實(shí)現(xiàn)恒功率功能。氮化鎵快充芯片U8733L特征：集成 700V E-GaN 集成高壓?jiǎn)?dòng)功能超低啟動(dòng)和工作電流，待機(jī)功耗 30mW 谷底鎖定模式，最高工作頻率兩; 閱讀（5）標(biāo)簽：

[公司新聞]氮化鎵GaN快充芯片U8732輕松應(yīng)對(duì)充電問題2025年05月21日 14:36: 氮化鎵充電器與普通充電器在充電效率方面對(duì)比，性能遙遙領(lǐng)先。它支持多種快充協(xié)議，如PD、QC等，能夠智能識(shí)別設(shè)備所需的充電功率，實(shí)現(xiàn)快速充電。無論是蘋果手機(jī)、安卓手機(jī)，還是筆記本電腦、平板電腦，氮化鎵充電器都能輕松應(yīng)對(duì)，一充搞定。充電器自然離不開芯片的支持，今天主推的就是來自深圳銀聯(lián)寶科技的氮化鎵GaN快充芯片U8732！氮化鎵GaN快充芯片U8732特點(diǎn)： 1.集成 700V E-GaN 2.集成高壓?jiǎn)?dòng)功能 3.超低啟動(dòng)和工作電流，待機(jī)功耗 30mW 4.谷底鎖定模式，; 閱讀（18）標(biāo)簽：

[公司新聞]氮化鎵PD快充芯片U8722DAS可減少高頻噪聲和應(yīng)力沖擊2025年05月16日 11:48: 氮化鎵PD快充芯片U8722DAS集成輕載SR應(yīng)力優(yōu)化功能，在輕載模式下，芯片將原邊開通速度減半（如配置為特定驅(qū)動(dòng)電流檔位時(shí)），減緩開關(guān)動(dòng)作的瞬態(tài)變化，從而減小次級(jí)側(cè)SR器件的電壓尖峰，通過分壓電阻設(shè)置驅(qū)動(dòng)電流檔位（三檔可選），平衡EMI性能與效率。低驅(qū)動(dòng)電流檔位可降低SR開關(guān)速度，減少高頻噪聲和應(yīng)力沖擊。氮化鎵PD快充芯片U8722DAS特征： ▲集成高壓 E-GaN ▲集成高壓?jiǎn)?dòng)功能 ▲超低啟動(dòng)和工作電流，待機(jī)功耗 30mW ▲谷底鎖定模式，最高工作頻率兩檔可調(diào)(; 閱讀（0）標(biāo)簽：

[公司新聞]氮化鎵PD快充芯片U8733集成恒功率與主動(dòng)降功率多控制功能2025年05月09日 11:32: 芯片恒功率控制，意味著無論負(fù)載變化如何，系統(tǒng)都能保持恒定的輸出功率，確保設(shè)備在各種工作條件下都能穩(wěn)定運(yùn)行。當(dāng)檢測(cè)到系統(tǒng)溫度過高時(shí)，主動(dòng)降功率功能會(huì)啟動(dòng)，以降低系統(tǒng)溫度，防止過熱。深圳銀聯(lián)寶科技的氮化鎵PD快充芯片U8733，就集成了恒功率控制和主動(dòng)降功率控制功能，一起來看看！氮化鎵PD快充芯片U8733集成恒功率控制與主動(dòng)降功率控制功能，在恒功率區(qū)間，通過控制輸出電流隨輸出電壓變化，實(shí)現(xiàn)恒功率功能。外置溫度檢測(cè)環(huán)境溫度，當(dāng)溫度過高主動(dòng)降功率以降低系統(tǒng)溫度，保證系統(tǒng)穩(wěn)定; 閱讀（9）標(biāo)簽：

[公司新聞]ESOP-10W封裝輸入欠壓保護(hù)氮化鎵快充芯片U87662025年05月08日 15:14: 在65W氮化鎵快充設(shè)計(jì)中，輸入欠壓保護(hù)與過壓保護(hù)協(xié)同工作，保障充電頭在電網(wǎng)波動(dòng)時(shí)仍能穩(wěn)定輸出，并避免因輸入異常導(dǎo)致次級(jí)電路損壞。今天介紹的65W全壓氮化鎵快充芯片U8766，輸入欠壓保護(hù)(BOP)，采用ESOP-10W封裝！氮化鎵快充芯片U8766通過HV管腳對(duì)母線電壓進(jìn)行采樣，當(dāng)母線電壓值小于BOP保護(hù)閾值VBOP (典型值 100V)時(shí)，芯片內(nèi)部的BOP延遲計(jì)時(shí)使能，計(jì)時(shí)時(shí)間為TBOP_DELAY(典型值 80ms)，計(jì)時(shí)結(jié)束后觸發(fā)BOP保護(hù)。如果母線電壓超過BOP恢復(fù); 閱讀（12）標(biāo)簽：

[公司新聞]PD 20W氮化鎵單電壓應(yīng)用方案：U8722AH+U77152025年05月07日 14:23: 深圳銀聯(lián)寶科技推出的PD20W氮化鎵單電壓應(yīng)用方案，主控芯片使用的是氮化鎵快充芯片U8722AH，同步整流芯片U7715，協(xié)議338E。輸入規(guī)格：180V-264V 50Hz，輸出規(guī)格：C口，PD20W：5V3A / 9V2.22A / 12V1.67A。氮化鎵快充芯片U8722AH特點(diǎn)： 1.集成 700V E-GaN 2.集成高壓?jiǎn)?dòng)功能 3.超低啟動(dòng)和工作電流，待機(jī)功耗 30mW 4.谷底鎖定模式，最高工作頻率兩檔可調(diào)(220kHz，130kHz) 5.集; 閱讀（16）標(biāo)簽：

[公司新聞]SOP-7封裝20W氮化鎵快充芯片U8722SP來咯！2025年04月29日 11:14: 深圳銀聯(lián)寶氮化鎵系列又雙叒叕上“芯”料啦——U8722SP！氮化鎵快充芯片U8722SP采用SOP-7封裝，推薦最大輸出功率20W，集成MOS耐壓700V，典型應(yīng)用于快速充電器和適配器上，腳位如下： 1 GND P 芯片參考地 2 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 3 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳 4 DEM I/O 消磁檢測(cè)、輸出 OVP 檢測(cè)、驅(qū)動(dòng)能力分檔判定管腳 5 SW P Boost 電路內(nèi)置 MOS 的漏極; 閱讀（13）標(biāo)簽：

[公司新聞]氮化鎵快充芯片U8608集成多維度安全防護(hù)機(jī)制2025年04月28日 14:25: 深圳銀聯(lián)寶氮化鎵快充芯片U8608具有多重故障保護(hù)機(jī)制，通過集成多維度安全防護(hù)，防止設(shè)備出現(xiàn)過充電、過放電、過電流等問題，在電子設(shè)備中構(gòu)建起全方位的安全屏障，今天具體分析一下！ ■輸入過欠壓保護(hù) (Line OVP/BOP) 氮化鎵快充芯片U8608通過DRAIN管腳對(duì)母線電壓進(jìn)行采樣，當(dāng)母線電壓值小于Line BOP 保護(hù)閾值VBOP (典型值70Vac)時(shí)，芯片內(nèi)部的Line BOP延遲計(jì)時(shí)使能，計(jì)時(shí)時(shí)間為TBOP_DELAY(典型值 80ms)，計(jì)時(shí)結(jié)束后觸發(fā)Lin; 閱讀（11）標(biāo)簽：

[公司新聞]25W帶恒功率12V單高壓氮化鎵快充芯片U8723AH2025年04月24日 10:17: 芯片內(nèi)置Boost電路將功率開關(guān)器件（如MOSFET）、驅(qū)動(dòng)電路、反饋網(wǎng)絡(luò)等集成于單一封裝，省去分立元件布局，顯著降低PCB面積需求。深圳銀聯(lián)寶氮化鎵快充芯片U8723AH內(nèi)置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓的應(yīng)用場(chǎng)景。U8723AH集成峰值電流抖動(dòng)功能和驅(qū)動(dòng)電流配置功能，可極大的優(yōu)化系統(tǒng)EMI性能！氮化鎵快充芯片U8723AH特性： ●集成高壓 E-GaN ●集成高壓?jiǎn)?dòng)功能 ●超低啟動(dòng)和工作電流，待機(jī)功耗 30mW ●谷底鎖定模式，最高工作頻率兩檔可調(diào)(2; 閱讀（7）標(biāo)簽：

[公司新聞]700V/165mΩ HV高壓?jiǎn)?dòng)頻率可調(diào)氮化鎵快充芯片U87662025年04月23日 14:32: 700V/165mΩ HV高壓?jiǎn)?dòng)頻率可調(diào)氮化鎵快充芯片U8766，推薦功率為65W，代表機(jī)型有5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A等。氮化鎵快充芯片U8766集成了高壓?jiǎn)?dòng)功能。在啟動(dòng)階段，U8766通過芯片HV腳對(duì)VDD充電，當(dāng)VDD電壓達(dá)到VVDD_ON(典型值 12V)時(shí)，高壓供電關(guān)閉。輸出建立后，芯片供電由輔助繞組提供。在啟動(dòng)過程中，當(dāng)VDD低于3V時(shí)，高壓供電電路對(duì)VDD電容的充電電流為IHV1 (典型值 0.5mA)，小電流充電，可以; 閱讀（16）標(biāo)簽：

[公司新聞]700V/365mΩ高壓?jiǎn)?dòng)GaN快充芯片U86092025年04月21日 14:31: GaN快充芯片U8609最高工作頻率130kHz，700V/365mΩ，采用DASOP-7封裝，主推12V3A，合封第三代半導(dǎo)體GaN FET，有利于降低電源尺寸。U8609采用CS Jitter技術(shù)，通過調(diào)制峰值電流參考值實(shí)現(xiàn)頻率抖動(dòng)，以優(yōu)化系統(tǒng)EMI。 GaN快充芯片U8609復(fù)用CS管腳以設(shè)定系統(tǒng)最高工作頻率，CS管腳連接如圖所示。芯片啟動(dòng)時(shí)，U8609通過檢測(cè)RSEL電阻從而決定芯片最大工作頻率。設(shè)定不同的RSEL電阻值即可選擇兩檔不同的系統(tǒng)工作頻率上限。選檔判定結(jié)束; 閱讀（18）標(biāo)簽：

[公司新聞]12V單高壓20W-25W氮化鎵快充芯片U8722BAS2025年04月18日 14:39: 氮化鎵快充芯片U8722BAS復(fù)用CS管腳以設(shè)定系統(tǒng)最高工作頻率，CS管腳連接如圖所示。芯片啟動(dòng)時(shí)，U8722BAS通過檢測(cè)RSEL電阻從而決定芯片最大工作頻率。設(shè)定不同的RSEL電阻值即可選擇兩檔不同的系統(tǒng)工作頻率上限。選檔判定結(jié)束后系統(tǒng)鎖定，每一次啟動(dòng)都伴隨一次判定。氮化鎵快充芯片U8722BAS封裝類型 ASOP7-T4，引腳名稱如下： 1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 2 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳 3 DEM I/O 消磁檢測(cè)、輸出 OVP 檢; 閱讀（10）標(biāo)簽：

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